YMIF750-65, Модуль IGBT, Однопозиционный IGBT, CRRC

В _CES

6500 В

В _{CE (США)} Тип.

3,0 В

Я _C Макс.

750 A

Я _{C ((RM)} Макс.

1500 А

Символ

Параметр

Условия испытаний

Значение

Единица

В _CES

Напряжение коллектор-эмиттер

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

В

В _ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 °C

± 20

В

Я _C

Ток коллектор-эмиттер

TC = 80 °C

750

A

Я _C(PK)

Пиковый коллекторный ток

tP=1ms

1500

A

Р _макс

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

кВт

Я ²т

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

В _{изолированный}

Напряжение изоляции - на модуль

(Общие терминалы к базовой пластине), RMS AC,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

кВ

Q _ПД

Частичное разряд - на модуль

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

пК

Rth(J-C) IGBT

Тепловое сопротивление - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Диод

Тепловое сопротивление - Диод

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Тепловое сопротивление -

корпуса к радиатору (IGBT)

Момент затяжки 5Nm,

с монтажной смазкой 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Диод

Тепловое сопротивление -

корпуса к радиатору (Диод)

Момент затяжки 5Nm,

с монтажной смазкой 1W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

Тепловая температура рабочего раздела

( IGBT )

-40

125

°C

( Диод )

-40

125

°C

ТСТГ

температура хранения

Диапазон температур хранения

-40

125

°C

М

Момент затяжки

Установка M6

5

Нм

Электрические соединения M4

2

Нм

Электрические соединения M8

10

Нм

符号 Символ

参数名称 Параметр

条件

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

ICES

集电极截止电流 (объединение электрического потока)

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

极漏电流 (очень пропускной)

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

затвор -напряжение порога эмиттера Напряжение порога затвора

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

В

VCE (sat)(*1)

集电极 -напряжение насыщения эмиттера

Насыщение коллектор-эмиттер

напряжение

VGE = 15V, IC = 750A

3.0

3.4

В

VGE = 15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

В

IF

прямой постоянный ток диода Диодный прямой ток

Постоянный ток

750

A

IFRM

повторяющийся пик прямого тока диода Пиковое течение диоды вперед

tP = 1ms

1500

A

VF(*1)

прямое напряжение диода

Прямое напряжение диода

Если = 750A, ВГЭ = 0

2.55

2.90

В

Если = 750 А, ВГЭ = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

В

Isc

ток короткого замыкания

Короткое замыкание

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

- Да, конечно.

Входной пропускной способностью

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

нФ

Главный офис

极电荷

Сбор за вход

± 15 В

9.4

μC

Крес

вратная мощность передачи

Капацитет обратной передачи

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

нФ

LM

индуктивность модуля

Индуктивность модуля

10

nH

РИНТ

внутреннее сопротивление

Сопротивление внутреннего транзистора

90

мОм

tD _{(выключено)}

задержка отключения

Время задержки выключения

IC =750A,

ВЭС = 3600В, ВЭС = ±15В, RG ((OFF) = 6,8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

nS

Tvj= 125 °C

3090

т _f

снижение времени Время спада

Tvj= 25 °C

2390

nS

mJ

nS

nS

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

Е _{ВЫКЛЮЧЕННЫЙ}

потери при отключении

Потеря энергии при выключении

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

tD _{(включено)}

开通延迟时间

Время задержки включения

IC =750A,

ВЭС = 3600В, ВЭС = ±15В, RG ((ON) = 1,0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

увеличивается время Время нарастания

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

Е _НА

потери при включении

Потеря энергии при включении

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

обратный восстанавливающий заряд диода Обратный диод

заряд восстановления

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

обратный восстанавливающий ток диода Обратный диод

ток восстановления

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

потери обратного восстановления диода Обратный диод

энергия восстановления

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080