Все категории

Модуль IGBT 3300V

Модуль IGBT 3300V

Домашняя страница / Продукты / Модуль IGBT / Модуль IGBT 3300V

YMIF400-33,IGBT Модуль,Одноключевой IGBT,CRRC

3300В 400А

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF400-33
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT,Высоковольтные, одноключевые модули IGBT, произведенные CRRC. 3300В 400А.

Особенности

●SPT+чипсет для низких переключательных потерь

Низкий вCEsat

●Низкая мощность управления Мощность

●Апластина на основе lSiC для высокой Мощность Cциклической способностиY

●Подложка AlN для низкого теплового сопротивление

ТиповойПрименение

●Приводы тяги

●Вертолет с постоянным током

●Среднее напряжение инвертеры/преобразователи

Максимальные номинальные значения

Параметр

Символ

Условия

мин

макс

единица

Напряжение коллектор-эмиттер

VCES

ВГЭ = 0В,Твж ≥ 25°С

3300

в

Ток в коллекторе постоянного тока

Ic

TC = 80°C

400

A

Пиковый коллекторный ток

МКК

tp=1ms,Tc=80°C

800

A

Напряжение затвор-эмиттер

VGES

-20

20

в

Общая рассеиваемость мощности

Ptot

TC = 25°C, переменчик (IGBT)

7100

В

Прямой ток

IF

400

A

Пиковый переходный ток

IFRM

tP=1ms

800

A

Перегонный ток

МФСМ

VR = 0V,Tvj = 125°C,tp = 10ms, полусинусная волна

3000

A

IGBT короткозамыкание SOA

tpsc

VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

Изоляционное напряжение

Visol

1min, f=50Hz

10200

в

температура соединения

Телевидение

150

Рабочая температура развязки

Телевидение

-50

150

Температура корпуса

TC

-50

125

температура хранения

ТСТГ

-50

125

Монументы установки

MS

База-радиаторГайки M6

4

6

Нм

Mt1

Основные клеммыВинты M8

8

10

Значения характеристик IGBT

Параметр

Символ

Условия

мин

Тип

макс

единица

Напряжение пробоя коллектора (- эмиттер)

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C

3300

в

Напряжение насыщения коллектора-эмиттера

VCEsat

IC =400A, VGE =15V

Tvj= 25°C

3.0

в

Tvj=125°C

3.6

в

Коллектор отключен

ICES

VCE =3300V, VGE =0V

Tvj= 25°C

5

mA

Tvj=125°C

50

mA

Ток утечки затвора

IGES

ВЭС = 0В, ВГЭ = 20В, Tvj = 125°С

-500

500

НД

Пороговое напряжение выпускателя

VGE (th)

IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.5

7.5

в

Сбор за вход

Главный офис

IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V

4.0

МК

Входной пропускной способностью

- Да, конечно.

ВЭС = 25В, ВГЭ = 0В, f=1МГц, Tvj = 25°С

65

НФ

Выходной объем

Коэ

3.7

Капацитет обратной передачи

Крес

0.8

Время задержки включения

td(on)

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

щутственный нагрузка

Tvj = 25 °C

650

NS

Tvj = 125 °C

750

Время нарастания

tr

Tvj = 25 °C

400

Tvj = 125 °C

470

Время задержки выключения

td(off)

Tvj = 25 °C

1600

NS

Tvj = 125 °C

1800

Время спада

TF

Tvj = 25 °C

1100

Tvj = 125 °C

1200

Энергия потери при включении

EON

Tvj = 25 °C

1400

mJ

Tvj = 125 °C

1800

Энергия потерь при переключении отключения

EOFF

Tvj = 25 °C

1300

mJ

Tvj = 125 °C

1700

Короткое замыкание

Isc

tpsc ≤ 10μs, VGE = 15V, Tvj = 125°C, VCC = 2500V

2500

A

Характеристические значения диодов

Параметр

Символ

Условия

мин

Тип

макс

единица

Напряжение вперед

VF

IF =400A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

в

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

Обратный рекуперационный ток

Irr

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

Восстановленная зарядка

Qrr

Tvj = 25 °C

700

МК

Tvj = 125 °C

1000

Время восстановления

trr

Tvj = 25 °C

850

NS

Tvj = 125 °C

2200

Энергия обратной рекуперации

Erec

Tvj =25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

Основные положения

image(efd7896b87).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000