Модуль IGBT 3300V

Символ

Параметр

Условия испытаний

значение

единица

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

в

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 °C

± 20

в

Ic

Ток коллектор-эмиттер

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Пиковый коллекторный ток

tP=1ms

500

A

Pmax

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

КВт

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

Напряжение изоляции - на модуль

(Общие терминалы к базовой пластине), RMS AC,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

кВ

QPD

Частичное разряд - на модуль

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

ПК

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

в

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер Напряжение

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

в

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

в

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

в

IF

Диодный прямой ток

Постоянный ток

250

A

IFRM

Пиковое течение диоды вперед

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

Если = 250A, ВГЭ = 0

2.10

2.40

в

Если = 250 А, ВГЭ = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

в

Если = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

в

Isc

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

в

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер

Напряжение

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

в

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

в

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

в

IF

Диодный прямой ток

Постоянный ток

250

A

IFRM

Пиковое течение диоды вперед

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

Если = 250A, ВГЭ = 0

2.10

2.40

в

Если = 250 А, ВГЭ = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

в

Если = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

в

Isc

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

тd(off)

Время задержки выключения

ЯC =250A,

вСЕ = 1800V, вGE = ±15V, рG(OFF) = 9.0Ω , CGE = 56nF,

Лs = 150nH,

тvj= 25 °C

1480

NS

тvj= 125 °C

1550

тvj= 150 °C

1570

тF

Время спада

тvj= 25 °C

1280

NS

тvj= 125 °C

1920

тvj= 150 °C

2120

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря энергии при выключении

тvj= 25 °C

300

mJ

тvj= 125 °C

380

тvj= 150 °C

400

тd(on)

Время задержки включения

ЯC =250A,

вСЕ = 1800V, вGE = ±15V, рG(ON) = 6.0Ω , CGE = 56nF,

Лs = 150nH,

тvj= 25 °C

640

NS

тvj= 125 °C

650

тvj= 150 °C

650

тр

Время нарастания

тvj= 25 °C

220

NS

тvj= 125 °C

235

тvj= 150 °C

238

еНА

Энергия включения Потеря

тvj= 25 °C

395

mJ

тvj= 125 °C

510

тvj= 150 °C

565

QРР

Диод Обратный

Заряд восстановления

ЯF =250A,

вСЕ = 1800V,

- dЯF/dt = 1200A/us, (тvj= 125 °C).

тvj= 25 °C

190

μC

тvj= 125 °C

295

тvj= 150 °C

335

ЯРР

Диод Обратный

Ток восстановления

тvj= 25 °C

185

A

тvj= 125 °C

210

тvj= 150 °C

216

еrec

Диод Обратный

Энергия восстановления

тvj= 25 °C

223

mJ

тvj= 125 °C

360

тvj= 150 °C

410