Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллектор ток @ т C =25 О C

@ т C = 100О C

630

400

A

Я CM

Импульсный Коллектор ток т Р =1 MS

800

A

Р Д

Максимальное Мощность рассеяние @ т j =175 О C

2083

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывного прямого тока

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура соединения атмосфера

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в СЕ (сидел )

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A, в GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =400A, в GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =400A, в GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 10.0mA ,в СЕ = в GE ,т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Ток коллектора отключения

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V,

т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.9

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=1 МГц ,

в GE =0В

41.4

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.16

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15V…+15V

3.11

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =600 В, Я C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

257

NS

т р

Время нарастания

96

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

NS

т F

Время спада

103

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

23.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

34.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =600 В, Я C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

268

NS

т р

Время нарастания

107

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

NS

т F

Время спада

144

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

35.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =600 В, Я C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

278

NS

т р

Время нарастания

118

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

NS

т F

Время спада

155

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

38.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

56.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, в GE =15В,

т j =150 О C ,в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A, в GE =0V, т j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F =400A, в GE =0V, т j = 125О C

1.85

Я F =400A, в GE =0V, т j = 150О C

1.85

Q р

Восстановленная зарядка

в р =600 В, Я F =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, в GE =- 15В т j =25 О C

38.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

285

A

е rec

Обратное восстановление энергия

19

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =600 В, Я F =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, в GE =- 15В т j = 125О C

66.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

380

A

е rec

Обратное восстановление энергия

36.6

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =600 В, Я F =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, в GE =- 15В т j = 150О C

76.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

е rec

Обратное восстановление энергия

41.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.18

мОм

р thJC

Переходный пункт -до -Чехол (на IGBT )

Переходный пункт -до -Чехол (на Диод )

0.072

0.095

K/W

р thCH

Чехол -до -Радиатор (на IGBT )

Чехол -до -Радиатор (на Диод )

Корпус к радиатору (на модуль)

0.018

0.023

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М6 Монтаж Крутящий момент , Винт м 6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес Модуль

300

g