Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Ic

Коллекторный ток @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

МКК

Импульсный ток коллектора tp=1ms

800

A

ПД

Максимальная мощность рассеяния при T =150oC

2659

В

Символ

Описание

значение

единица

VRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

IF

Диод непрерывного прямого тока

400

A

ИФМ

Максимальный прямой ток диода tp=1ms

800

A

Символ

Описание

значение

единица

Tjmax

Максимальная температура стыка

150

oC

- Что?

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

oC

ТСТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

oC

Визо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

2.90

3.35

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

3.60

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

4.5

5.5

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.6

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

26.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.70

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

4.2

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 2,2Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

76

NS

т р

Время нарастания

57

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

529

NS

т F

Время спада

73

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

5.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

23.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 2,2Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

81

NS

т р

Время нарастания

62

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

567

NS

т F

Время спада

81

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

9.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

31.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =125 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

2800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.96

2.31

в

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125О C

1.98

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

24.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

317

A

е rec

Обратное восстановление энергия

16.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

35.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

391

A

е rec

Обратное восстановление энергия

21.4

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.18

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.047

0.100

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.015

0.031

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g