1200 В 400 А
Краткое введение
Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C = 100о C |
630 400 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t р =1 мс |
800 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T =175 о C |
2083 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
400 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
800 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
4000 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =400A,V GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.70 |
2.15 |
В |
Я C =400A,V GE =15В, Т j =125 о C |
|
1.95 |
|
|||
Я C =400A,V GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.00 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C = 10,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 о C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C |
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
1.9 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
41.4 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.16 |
|
нФ |
|
Q G |
Сбор за вход |
В GE =15В |
|
3.11 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =400A, R G =2,0Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C |
|
257 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
96 |
|
nS |
|
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
628 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
103 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
23.5 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
34.0 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =400A, R G =2,0Ω, В GE =±15В, Т j = 125о C |
|
268 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
107 |
|
nS |
|
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
659 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
144 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
35.3 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
51.5 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =400A, R G =2,0Ω, В GE =±15В, Т j = 150о C |
|
278 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
118 |
|
nS |
|
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
680 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
155 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
38.5 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
56.7 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В, Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В |
|
1600 |
|
A |
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =400A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.65 |
2.10 |
В |
Я F =400A,V GE =0V,T j = 125о C |
|
1.65 |
|
|||
Я F =400A,V GE =0V,T j = 150о C |
|
1.65 |
|
|||
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =400A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C |
|
38.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
285 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
19.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =400A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В Т j = 125о C |
|
66.5 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
380 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
36.6 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =400A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В Т j = 150о C |
|
76.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
399 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
41.8 |
|
mJ |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю. |
|
0.35 |
|
мОм |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
0.072 0.095 |
K/W |
R thCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.035 0.046 0.010 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.