Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =90 О C

595

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1875

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE = 15V, т j =25 О C

1.75

2.20

в

Я C =400A,V GE = 15V, т j =125 О C

2.00

Я C =400A,V GE = 15V, т j =150 О C

2.05

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 10,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

37.3

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.04

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

2.80

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

205

NS

т р

Время нарастания

77

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

597

NS

т F

Время спада

98

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

18.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

32.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

214

NS

т р

Время нарастания

86

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

626

NS

т F

Время спада

137

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

28.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.9

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

198

NS

т р

Время нарастания

94

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

646

NS

т F

Время спада

147

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

30.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

53.8

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE = 15V,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1440

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.75

2.15

в

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125О C

1.65

Я F =400A,V GE =0V,T j = 150О C

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

40

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

299

A

е rec

Обратное восстановление энергия

20.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

70

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

е rec

Обратное восстановление энергия

38.4

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

80

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

419

A

е rec

Обратное восстановление энергия

43.9

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

р CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.25

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.080

0.095

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.037

0.044

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g