Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD400HFU120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

660

400

A

Я CM (1)

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

400

A

Я ЧМ (1)

Диод максимально протяженный арендная плата

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 150℃

2660

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

т j

Максимальная температура стыка

150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Крутящий момент крепления

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3,0 до 6.0

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =4,0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃

3.10

3.60

в

Я C =400A,V GE =15В, т j = 125℃

3.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 2,2Ω,V GE = ± 15 В, т j =25 ℃

680

NS

т р

Время нарастания

142

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

638

NS

т F

Время спада

99

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

19.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

32.5

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g = 2,2Ω,V GE = ± 15 В, т j = 125℃

690

NS

т р

Время нарастания

146

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

669

NS

т F

Время спада

108

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

26.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

36.7

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

33.7

НФ

C - Да.

Выходной объем

2.99

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.21

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мс,В GE =15 В, т j =25 ℃ ,

в CC =600 В, в СМК ≤ 1200В

2600

A

р Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

0.5

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

18

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления c Терминал на чип

т C =25 ℃

0.32

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

т j =25 ℃

1.95

2.35

в

т j = 125℃

1.85

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =400A,

в р =600 В,

di/dt=-2850A/μs, в GE =- 15В

т j =25 ℃

24.1

μC

т j = 125℃

44.3

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

220

A

т j = 125℃

295

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

13.9

mJ

т j = 125℃

24.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IG) БТ)

0.047

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.096

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

g

Вес Модуль

350

g