Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =100 О C

769

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =1 75О C

2272

В

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.85

2.30

в

Я C =400A,V GE =15В, т vj =125 О C

2.25

Я C =400A,V GE =15В, т vj =150 О C

2.35

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =16.00 mA ,в СЕ = в GE ,т vj =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В

43.2

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.18

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

3.36

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2Ω, Л s =45 nH ,

в GE =±15В, т vj =25 О C

288

NS

т р

Время нарастания

72

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

314

NS

т F

Время спада

55

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

43.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

12.4

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2Ω, Л s =45 nH ,

в GE =±15В, т vj =125 О C

291

NS

т р

Время нарастания

76

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

351

NS

т F

Время спада

88

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

57.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.1

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2Ω, Л s =45 nH ,

в GE =±15В, т vj =150 О C

293

NS

т р

Время нарастания

78

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

365

NS

т F

Время спада

92

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

62.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

18.6

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, в GE =15В,

т vj =150 О C,V CC =800V, в СМК ≤ 1200 В

1500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.85

2.30

в

Я F =400A,V GE =0V,T vj =125 О C

1.90

Я F =400A,V GE =0V,T vj =150 О C

1.95

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, Л s =45 nH ,т vj =25 О C

38.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

252

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.2

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F =400A,

-ди /dt =3860A/μs, в GE =- 15V, Л s =45 nH ,т vj =125 О C

61.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

255

A

е rec

Обратное восстановление энергия

18.7

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F =400A,

-ди /dt =3720A/μs, в GE =- 15V, Л s =45 nH ,т vj =150 О C

75.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

257

A

е rec

Обратное восстановление энергия

20.5

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.066

0.115

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031

0.055

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g