Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Главная страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD400CLU120C2S, Модуль IGBT, Резак в одном корпусе, STARPOWER

1200В 400А; Чоппер в одном корпусе

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLU120C2S
  • Введение
  • Основные положения
  • Схема эквивалентной цепи
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.

Особенности

  • Технология NPT IGBT
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • Прочный с ультрабыстрыми характеристиками
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

  • Питание в режиме переключения
  • Индуктивное нагревание
  • Электрический сварщик

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =60 о C

505

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 о C

2358

В

Диод

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

800

A

Модуль

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

150

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, Т j =25 о C

2.90

3.35

В

Я C =400A,V GE =15В, Т j =125 о C

3.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.0

5.8

6.6

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

26.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.68

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

4.18

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,4Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

337

nS

т r

Время нарастания

88

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

460

nS

т f

Время спада

116

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

21.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,4Ω,

В GE =±15В, Т j = 125о C

359

nS

т r

Время нарастания

90

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

492

nS

т f

Время спада

128

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

29.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

26.0

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =125 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 о C

2.00

2.45

В

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125о C

2.10

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, Т j =25 о C

27.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

16.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15В, Т j = 125о C

46.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

380

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.0

mJ

Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.053

0.103

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.048

0.094

0.032

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000