1200 В 300 А
Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.
Особенность
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C |
480 300 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t р =1 мс |
600 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
1613 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
300 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
600 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
4000 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
VCE(sat) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC |
|
1.70 |
2.15 |
В |
IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC |
|
1.95 |
|
|||
IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.00 |
|
|||
VGE (th) |
Пороговое напряжение выпускателя |
IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
В |
ICES |
Ток коллектора отключения Ток |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Ток утечки излучателя врат |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
нД |
RGint |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
2.5 |
|
ω |
- Да, конечно. |
Входной пропускной способностью |
VCE=25V, f=1Mhz, ВГЭ=0В |
|
31.1 |
|
нФ |
Крес |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.87 |
|
нФ |
|
Главный офис |
Сбор за вход |
ВГЭ=- 15...+15В |
|
2.33 |
|
μC |
td(on) |
Время задержки включения |
ВВС=600В, IC=300А, RG=1.3Ω, VGE=±15В, Tj=25oC |
|
182 |
|
nS |
tr |
Время нарастания |
|
54 |
|
nS |
|
td(off) |
Время задержки выключения |
|
464 |
|
nS |
|
tF |
Время спада |
|
72 |
|
nS |
|
EON |
Включение переключения Потеря |
|
10.6 |
|
mJ |
|
EOFF |
Выключатель Потеря |
|
25.8 |
|
mJ |
|
td(on) |
Время задержки включения |
ВВС=600В, ВС=300А, RG=1.3Ω, ВГЭ=±15В, Tj=125oC |
|
193 |
|
nS |
tr |
Время нарастания |
|
54 |
|
nS |
|
td(off) |
Время задержки выключения |
|
577 |
|
nS |
|
tF |
Время спада |
|
113 |
|
nS |
|
EON |
Включение переключения Потеря |
|
16.8 |
|
mJ |
|
EOFF |
Выключатель Потеря |
|
38.6 |
|
mJ |
|
td(on) |
Время задержки включения |
ВВС=600В, IC=300А, RG=1.3Ω, VGE=±15В, Tj=150oC |
|
203 |
|
nS |
tr |
Время нарастания |
|
54 |
|
nS |
|
td(off) |
Время задержки выключения |
|
618 |
|
nS |
|
tF |
Время спада |
|
124 |
|
nS |
|
EON |
Включение переключения Потеря |
|
18.5 |
|
mJ |
|
EOFF |
Выключатель Потеря |
|
43.3 |
|
mJ |
|
|
Isc |
Данные SC |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
A |
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
VF |
Диод вперед Напряжение |
Если = 300A, VGE = 0V, Tj = 25oC |
|
1.65 |
2.10 |
В |
Если = 300A, VGE = 0V,Tj = 125oC |
|
1.65 |
|
|||
Если = 300A, VGE = 0V,Tj = 150oC |
|
1.65 |
|
|||
Qr |
Восстановленная зарядка |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC |
|
29 |
|
μC |
МРТ |
Пик обратный Ток восстановления |
|
318 |
|
A |
|
Erec |
Энергия обратной рекуперации |
|
18.1 |
|
mJ |
|
Qr |
Восстановленная зарядка |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC |
|
55 |
|
μC |
МРТ |
Пик обратный Ток восстановления |
|
371 |
|
A |
|
Erec |
Энергия обратной рекуперации |
|
28.0 |
|
mJ |
|
Qr |
Восстановленная зарядка |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 150oC |
|
64 |
|
μC |
МРТ |
Пик обратный Ток восстановления |
|
390 |
|
A |
|
Erec |
Энергия обратной рекуперации |
|
32.8 |
|
mJ |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
ЛСО |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
nH |
RCC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.35 |
|
мОм |
RthJC |
Соединение с корпусом (на IGBT) Соединение с корпусом (на диод) |
|
|
0.093 0.155 |
K/W |
|
RthCH |
Корпус-к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (на диод) Корпус к радиатору (на модуль) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
K/W |
М |
Ток соединения терминала, винт M6 Ток установки, винт M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Н.М |
G |
Вес модуля |
|
300 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
