Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

396

225

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

450

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1530

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

225

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

450

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =225A,V GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

в

Я C =225A,V GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =225A,V GE =15В, т j =150 О C

2.35

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.8

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

27.1

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.66

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

2.12

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =225A, р Гон =3,3Ω, р Гофф =6.2Ω, в GE =±15В,

т j =25 О C

187

NS

т р

Время нарастания

76

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

587

NS

т F

Время спада

350

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

56.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

52.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =225A, р Гон =3,3Ω, р Гофф =6.2Ω, в GE =±15В,

т j = 125О C

200

NS

т р

Время нарастания

85

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

693

NS

т F

Время спада

662

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

75.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

80.9

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =225A, р Гон =3,3Ω, р Гофф =6.2Ω, в GE =±15В,

т j = 150О C

208

NS

т р

Время нарастания

90

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

704

NS

т F

Время спада

744

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

82.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

87.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 1000V, в СМК ≤1700V

900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =225A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F =225A,V GE =0V,T j = 125О C

1.90

Я F =225A,V GE =0V,T j = 150О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

63.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

352

A

е rec

Обратное восстановление энергия

37.4

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В т j =125 О C

107

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

394

A

е rec

Обратное восстановление энергия

71.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В т j =150 О C

121

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

385

A

е rec

Обратное восстановление энергия

82.8

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из р 100

т C = 100 О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.098

0.158

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.029

0.047

0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g