GD225HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

396

225

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р = 1мс

450

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

1530

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

225

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

450

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =225A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =225A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =225A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.8

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

27.1

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.66

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

2.12

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =225A, R Гон =3,3Ω, R Гофф =6.2Ω, В GE =±15В,

Т j =25 о C

187

nS

т r

Время нарастания

76

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

587

nS

т f

Время спада

350

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

56.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

52.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =225A, R Гон =3,3Ω, R Гофф =6.2Ω, В GE =±15В,

Т j = 125о C

200

nS

т r

Время нарастания

85

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

693

nS

т f

Время спада

662

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

75.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

80.9

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =225A, R Гон =3,3Ω, R Гофф =6.2Ω, В GE =±15В,

Т j = 150о C

208

nS

т r

Время нарастания

90

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

704

nS

т f

Время спада

744

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

82.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

87.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V

900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =225A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я F =225A,V GE =0V,T j = 125о C

1.90

Я F =225A,V GE =0V,T j = 150о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

63.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

352

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

37.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В Т j =125 о C

107

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

394

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

71.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15В Т j =150 о C

121

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

385

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

82.8

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.098

0.158

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.029

0.047

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g