IDG75X12T2, IGBT дискретный, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

150

75

A

Я CM

Импульсный Коллектор ток т Р ограниченный От т vjmax

225

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

852

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

A

Я ЧМ

Импульсный Коллектор ток т Р ограниченный От т vjmax

225

A

Символ

Описание

Ценности

единица

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

О C

т s

Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с

260

О C

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =75A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.75

2.20

В

Я C =75A,V GE =15В, т vj =150 О C

2.10

Я C =75A,V GE =15В, т vj =175 О C

2.20

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =3.00 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.0

5.8

6.5

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

250

μA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

100

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

6.58

НФ

C - Да.

Выходной объем

0.40

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.19

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

0.49

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =75A, R g = 4,7Ω,

В GE =±15В, Ls=40nH,

т vj =25 О C

41

NS

т R

Время нарастания

135

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

87

NS

т F

Время спада

255

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

12.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.6

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =75A, R g = 4,7Ω,

В GE =±15В, Ls=40nH,

т vj =150 О C

46

NS

т R

Время нарастания

140

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

164

NS

т F

Время спада

354

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

17.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.3

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =75A, R g = 4,7Ω,

В GE =±15В, Ls=40nH,

т vj =175 О C

46

NS

т R

Время нарастания

140

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

167

NS

т F

Время спада

372

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

18.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =175 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

300

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =75A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.75

2.20

В

Я F =75A,V GE =0V,T vj =15 0О C

1.75

Я F =75A,V GE =0V,T vj =17 5О C

1.75

trr

Обратный диод Время восстановления

В R = 600 В,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 В, Ls=40nH,

т vj =25 О C

267

NS

Q R

Восстановленная зарядка

4.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

22

A

е rec

Обратное восстановление энергия

1.1

mJ

trr

Обратный диод Время восстановления

В R = 600 В,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 В, Ls=40nH,

т vj =150 О C

432

NS

Q R

Восстановленная зарядка

9.80

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

33

A

е rec

Обратное восстановление энергия

2.7

mJ

trr

Обратный диод Время восстановления

В R = 600 В,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 В, Ls=40nH,

т vj =175 О C

466

NS

Q R

Восстановленная зарядка

11.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

35

A

е rec

Обратное восстановление энергия

3.1

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.176 0.371

K/W

R ТГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W