H100KPU, Тиристор фазового управления

Символ

Характеристика

Условия испытаний

Tj(°C )

значение

единица

мин

ТИП

макс

IT(AV)

Средний ток в проводимом состоянии

180。Полусинусоидальная волна 50Hz с двойным охлаждением

TC=70 。C

115

2000

A

Idrm Irrm

Повторяющийся пиковый ток

при VDRM tp= 10мс при VRRM tp= 10мс

115

600

mA

ITSM

Импульсный ток в проводимом состоянии

10ms полусинусоидальная волна VR=0.6VRRM

115

35

кА

I2t

I2t для координации плавления

6125

103A2s

VTO

Напряжение порога

115

1.32

В

ПТ

Сопротивление наклона в проводимом состоянии

0.52

мОм

VTM

Пиковое напряжение в проводимом состоянии

ITM= 1500A, F=90kN

25

2.00

В

dv/dt

Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения

VDM=67%VDRM,

Импульс затвора tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

Заряд восстановления

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

5000

μC

IGT

Ток срабатывания затвора

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Напряжение срабатывания затвора

0.8

3.0

В

IH

Ток удержания

25

200

mA

VGD

Напряжение затвора без срабатывания

VDM=67%VDRM

115

0.3

В

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

Двустороннее охлаждение

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

0.0015

ЧМ

Сила установки

81

90

108

кН

Телевидение

температура соединения

-40

115

℃

ТСТГ

Хранимая температура

-40

140

℃

Вт

Вес

2500

g

Основные положения

KT100dT