GD950HTX75P6HFLB

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =90 О C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1900

A

Р Г

Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т j =175 О C

877

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

750

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1900

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни

-40 до +150 +150 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, т j =25 О C

1.25

1.50

В

Я C =450A,V GE =15В, т j =150 О C

1.35

Я C =450A,V GE =15В, т j =175 О C

1.40

Я C =950А,В GE =15В, т j =25 О C

1.60

Я C =950А,В GE =15В, т j =175 О C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.0

5.7

7.0

В

Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , т j =175 О C

3.5

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В

42.1

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.80

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.18

НФ

Q g

Сбор за вход

В СЕ =400В, I C =450A, V GE =-8...+15В

3.01

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R g = 2,4Ω, Л s =24 nH В GE =-8V/+15V,

т j =25 О C

126

NS

т R

Время нарастания

62

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

639

NS

т F

Время спада

149

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

17.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.4

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R g = 2,4Ω, Л s =24 nH В GE =-8V/+15V,

т j =150 О C

136

NS

т R

Время нарастания

68

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

715

NS

т F

Время спада

221

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

22.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

31.0

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R g = 2,4Ω, Л s =24 nH В GE =-8V/+15V,

т j =175 О C

138

NS

т R

Время нарастания

68

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

739

NS

т F

Время спада

227

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

24.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

32.6

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, В GE =15В,

5100

A

т j =25 О C,V CC =400В, В СМК ≤750В

т Р ≤3μс, В GE =15В,

т j =175 О C,V CC =400В, В СМК ≤750В

3800

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25 О C

1.40

1.65

В

Я F =450A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.35

Я F =450A,V GE =0V,T j =1 75О C

1.30

Я F =950А,В GE =0V,T j =25 О C

1.75

Я F =950А,В GE =0V,T j =1 75О C

1.75

Q R

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =450A,

-di/dt=7070A/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т j =25 О C

16.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

254

A

е rec

Обратное восстановление энергия

5.03

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =450A,

-di/dt=6150A/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т j =150 О C

36.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

320

A

е rec

Обратное восстановление энергия

9.49

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =450A,

-di/dt=6010A/μс,V GE =-8В Л s =24 nH ,т j =175 О C

40.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

338

A

е rec

Обратное восстановление энергия

10.5

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

△ Р

△ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

64

мбар

Р

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

т Основание < 40 О C

т Основание > 40 О C

(относительное давление)

2.5 2.0

Штанга

R ФНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

g

Вес из Модуль

750

g