1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1410

900

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

5000

w

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=900A,VGE=15В, tj=25oc

1.80

2.25

v

Яc=900A,VGE=15В, tj=125oc

2.10

Яc=900A,VGE=15В, tj=150oc

2.15

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=22.5Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.6

О

qg

Сбор за вход

vGE=- 15V…+15V

7.40

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,- Что?

rГон= 1.5Ω,RГофф=0.9Ω,vGE=±15В,Тj=25oc

257

NS

tr

Время нарастания

96

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

628

NS

tf

Время спада

103

NS

eна

Включить переход

потеря

43

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

82

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,- Что?

rГон= 1.5Ω,RГофф=0.9Ω,

vGE=±15В,Тj= 125oc

268

NS

tr

Время нарастания

107

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

659

NS

tf

Время спада

144

NS

eна

Включить переход

потеря

59

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

118

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,- Что?

rГон= 1.5Ω,RГофф=0.9Ω,

vGE=±15В,Тj= 150oc

278

NS

tr

Время нарастания

118

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

680

NS

tf

Время спада

155

NS

eна

Включить переход

потеря

64

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

134

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, 

vСМК≤ 1200 В

3600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=900A,VGE=0V,Tj=25oc

1.71

2.16

v

Яf=900A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.74

Яf=900A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.75

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

76

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

513

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

38.0

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

143

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

684

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

71.3

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

171

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

713

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

80.8

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.18

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.030

0.052

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g