GD900SGX120C2SA_B20,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

1410

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

5000

В

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =900A,V GE =15В, т j =25 О C

1.80

2.25

В

Я C =900A,V GE =15В, т j =125 О C

2.10

Я C =900A,V GE =15В, т j =150 О C

2.15

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =22.5 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.6

Ω

Q g

Сбор за вход

В GE =- 15V…+15V

7.40

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A,

R Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω, В GE =±15В,Т j =25 О C

257

NS

т R

Время нарастания

96

NS

т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

NS

т F

Время спада

103

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

43

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

82

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A,

R Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω,

В GE =±15В,Т j = 125О C

268

NS

т R

Время нарастания

107

NS

т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

NS

т F

Время спада

144

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

59

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

118

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A,

R Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω,

В GE =±15В,Т j = 150О C

278

NS

т R

Время нарастания

118

NS

т Г (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

NS

т F

Время спада

155

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

64

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

134

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V,

В СМК ≤ 1200 В

3600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T j =25 О C

1.71

2.16

В

Я F =900A,V GE =0V,T j = 125О C

1.74

Я F =900A,V GE =0V,T j = 150О C

1.75

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

76

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

513

A

е rec

Обратное восстановление энергия

38.0

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

143

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

684

A

е rec

Обратное восстановление энергия

71.3

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

171

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

713

A

е rec

Обратное восстановление энергия

80.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.030

0.052

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.016

0.027

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g