все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD900SGU120C3SN

IGBT Модуль,1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGU120C3SN
  • Введение
Введение

Особенности

  • технология NPT IGBT
  • 10 мкм КраткосвязьИллитет
  • низкий потери при переключении
  • Устойчивый с ультрабыстрой производительностьюance
  • vCE(сидел) с положительный температура коэффициент
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • питание в режиме переключения
  • Индуктивное нагревание
  • Электрический сварщик

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1350

900

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=150oc

7.40

КВ

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

900

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1800

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

150

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=25oc

 

2.90

3.35

 

v

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=125oc

 

3.60

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

6.1

7.0

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

53.1

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

3.40

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

8.56

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic=800A,  rg= 1.3Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

 

90

 

NS

tr

Время нарастания

 

81

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

500

 

NS

tf

Время спада

 

55

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

36.8

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

41.3

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic=800A,  rg= 1.3Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

 

115

 

NS

tr

Время нарастания

 

92

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

550

 

NS

tf

Время спада

 

66

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

52.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

59.4

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=125oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

5200

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 800 А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.95

2.40

v

Яf= 800 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

 

1.95

 

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15В, tj=25oc

 

56

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

550

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

38.7

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15В, tj= 125oc

 

148

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

920

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

91.8

 

МГ

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

12

 

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

 

0.19

 

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

 

16.9

26.2

К/кВт

rθcs

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

 

19.7

30.6

 

К/кВт

rθcs

Сборка из коробки в раковину

 

6.0

 

К/кВт

 

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, винт м6

1.8

8.0

4.25

 

2.1

10

5.75

 

n.m.

g

вес из модуль

 

1500

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000