GD900SGF120A3SN,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

1466

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

5.34

КВт

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1800

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =900A,V GE =15В, т vj =25 О C

2.00

2.45

В

Я C =900A,V GE =15В, т vj =125 О C

2.50

Я C =900A,V GE =15В, т vj =150 О C

2.65

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 32,0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.44

Ω

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R Гон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

В GE =-10/ +15В, т vj =25 О C

520

NS

т R

Время нарастания

127

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

493

NS

т F

Время спада

72

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

76.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

85.0

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R Гон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

В GE =-10/ +15В, т vj =125 О C

580

NS

т R

Время нарастания

168

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

644

NS

т F

Время спада

89

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

127

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

98.5

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R Гон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

В GE =-10/ +15В, т vj =150 О C

629

NS

т R

Время нарастания

176

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

676

NS

т F

Время спада

96

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

134

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

99.0

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.95

2.40

В

Я F =900A,V GE =0V,T vj =125 О C

2.00

Я F =900A,V GE =0V,T vj =150 О C

2.05

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=7100А/мкс, Ls=50нГ, В GE =-10В,

т vj =25 О C

80

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

486

A

е rec

Обратное восстановление энергия

35.0

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=5180А/мкс, Ls=50нГ, В GE =-10В,

т vj =125 О C

153

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

510

A

е rec

Обратное восстановление энергия

64.0

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4990А/мкс, Ls=50нГ, В GE =-10В,

т vj =150 О C

158

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

513

A

е rec

Обратное восстановление энергия

74.0

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.19

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

28.1 44.1

К/кВт

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

9.82 15.4 6.0

К/кВт

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Вес из Модуль

1050

g