Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
|
Символ |
описание |
ценности |
единица |
|
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
v |
|
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
± 20 |
v |
|
Яc |
Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
1522 900 |
A |
|
Ясм |
Импульсный коллекторный ток tp=1 мс |
1800 |
A |
|
pd |
Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc |
5.24 |
КВ |
Диод
|
Символ |
описание |
ценности |
единица |
|
vRRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
v |
|
Яf |
Диод непрерывно переднийарендная плата |
900 |
A |
|
ЯФм |
Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс |
1800 |
A |
модуль
|
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
|
tjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
oc |
|
t- Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
oc |
|
tСТГ |
температура хранениядиапазон |
-40 до +125 |
oc |
|
vИзо |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты |
4000 |
v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc=900A,VGE=15В, tj=25oc |
|
1.70 |
2.15 |
v |
|
Яc=900A,VGE=15В, tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
|
Яc=900A,VGE=15В, tj=150oc |
|
2.00 |
|
|||
|
vGE(В) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc=22.5Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
|
ЯCES |
Коллектор отрезать-выключенный текущий |
vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
Мамочка |
|
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Нет |
|
rГинт |
Внутренний портал сопротивленияance |
|
|
0.63 |
|
О |
|
cИ.е. |
Входной пропускной способностью |
vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
|
93.2 |
|
НФ |
|
cре |
Обратная передача Пропускная способность |
|
2.61 |
|
НФ |
|
|
qg |
Сбор за вход |
vGE=-15 - Что?+15В |
|
6.99 |
|
μC |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=900A, rg=1.6Ω, vGE=±15В, tj=25oc |
|
214 |
|
NS |
|
tr |
Время нарастания |
|
150 |
|
NS |
|
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
721 |
|
NS |
|
|
tf |
Время спада |
|
206 |
|
NS |
|
|
eна |
Включить переход потеря |
|
76 |
|
МГ |
|
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
128 |
|
МГ |
|
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=900A, rg=1.6Ω, vGE=±15В, tj=125oc |
|
235 |
|
NS |
|
tr |
Время нарастания |
|
161 |
|
NS |
|
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
824 |
|
NS |
|
|
tf |
Время спада |
|
412 |
|
NS |
|
|
eна |
Включить переход потеря |
|
107 |
|
МГ |
|
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
165 |
|
МГ |
|
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=900A, rg=1.6Ω, vGE=±15В, tj=150oc |
|
235 |
|
NS |
|
tr |
Время нарастания |
|
161 |
|
NS |
|
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
876 |
|
NS |
|
|
tf |
Время спада |
|
464 |
|
NS |
|
|
eна |
Включить переход потеря |
|
112 |
|
МГ |
|
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
180 |
|
МГ |
|
|
Яsc |
Данные SC |
tp≤ 10 мкс,ВGE=15В, tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В |
|
3600 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf=900A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.90 |
2.25 |
v |
|
Яf=900A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.85 |
|
|||
|
Яf=900A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.80 |
|
|||
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 600 В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VGE= 15 В tj=25oc |
|
86 |
|
μC |
|
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
475 |
|
A |
|
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
36.1 |
|
МГ |
|
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 600 В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VGE= 15 В tj= 125oc |
|
143 |
|
μC |
|
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
618 |
|
A |
|
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
71.3 |
|
МГ |
|
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 600 В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VGE= 15 В tj= 150oc |
|
185 |
|
μC |
|
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
665 |
|
A |
|
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
75.1 |
|
МГ |
НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
r25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
|
ΔR/R |
Отклонение из r100 |
tc= 100 oC,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
Энергия рассеивание |
|
|
|
20.0 |
МВ |
|
b25/50 |
B-значение |
r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
|
b25/80 |
B-значение |
r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
|
b25/100 |
B-значение |
r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
|
Символ |
Параметр |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
18 |
|
НН |
|
rCC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.30 |
|
mΩ |
|
rthJC |
Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на D)йода) |
|
|
28.6 51.9 |
К/кВт |
|
rthCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (пер диод) Корпус к радиатору (намодуль) |
|
14.0 25.3 4.5 |
|
К/кВт |
|
m |
Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10 6.0 |
n.m. |
|
g |
вес из модуль |
|
825 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
