1200 В

Символ

описание

GD800HFT120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc=80°C

1400

800

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

1600

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

@ Tc=80°C

800

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

4.2

КВ

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

монтаж крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

n.m.

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 32,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=125°C

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A, rГон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vGE=±15В,Тj=25°C

605

NS

tr

Время нарастания

225

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

830

NS

tf

Время спада

155

NS

eна

Включить переход

потеря

/

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

/

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A, rГон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vGE=±15В,Тj=125°C

670

NS

tr

Время нарастания

220

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

960

NS

tf

Время спада

175

NS

eна

Включить переход

потеря

161

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

124

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

57.7

НФ

c- Да.

Выходной объем

3.02

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

2.62

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

3200

A

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.25

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=800A

tj=25°C

1.65

2.10

v

tj=125°C

1.65

qr

Восстановлено

заряд

Яf=800A,

vr=600 В,

rГон=0.9Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

86

μC

tj=125°C

160

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

560

A

tj=125°C

720

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

38.0

МГ

tj=125°C

70.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

35.6

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

62.0

К/кВт

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

6

К/кВт

вес

вес- Что?модуль

1500

g