1200 В

Символ

описание

GD800HFL120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1250

A

800

ЯCM(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

1600

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

800

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды

1600

A

pd

Максимальная мощностьtj=150°C

4310

w

tsc

Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=125°C

10

μs

tj

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение, диод

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

140

ка2С

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж

крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.7 до 2.3

8,0 до 10

n.m.

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

bv CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=32mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=25°C

1.8

v

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=125°C

2.0

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qGE

Сбор за вход

Яc= 800 А,ВCE=600 В,

vGE=-15…+15V

11.5

μC

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A,

rГон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vGE =±15V,Tj=25°C

600

NS

tr

Время нарастания

230

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

820

NS

tf

Время спада

150

NS

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A,

rГон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vGE =±15V,Tj=125°C

660

NS

tr

Время нарастания

220

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

960

NS

tf

Время спада

180

NS

eна

Включить Потери при переключении

160

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

125

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

61.8

НФ

c- Да.

Выходной объем

4.2

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

2.7

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,- Что?tj=125°C- Да.

vСк.= 900 В, vСМК ≤1200 В

3760

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE’

Модуль свинцового сопротивленияc Терминал на чип

tc=25°C

0.18

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=800A

tj=25°C

2.4

v

tj=125°C

2.2

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf=800A,

vr=600 В,

di/dt=-3600A/μs, vGE= 15 В

tj=25°C

37

μC

tj=125°C

90

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

260

A

tj=125°C

400

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

9

МГ

tj=125°C

24

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθJC

Соединение с корпусом (часть IGBT, на 1/2 модуль)

0.029

K/W

rθJC

Соединение с корпусом (часть диода, на 1/2 модуль)

0.052

K/W

rθCS

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласно Модуль)

0.006

K/W

вес

Вес модуль

1500

g