Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =100 О C

800

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C

4687

В

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

в

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1800

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t Р = 10 мс @ T vj =12 5О C @ T vj =175 О C

2392

2448

A

Я 2т

Я 2t- значение ,т Р =10 MS @ т vj =125 О C @ T vj =175 О C

28608

29964

A 2s

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE =15В, т vj =25 О C

1.40

1.85

в

Я C = 800 А,В GE =15В, т vj =125 О C

1.60

Я C = 800 А,В GE =15В, т vj =175 О C

1.60

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т vj =25 О C

5.5

6.3

7.0

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В

28.4

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.15

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

2.05

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A, р g =0.5Ω, L s =40nH, в GE =-8V/+15V,

т vj =25 О C

168

NS

т р

Время нарастания

78

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

428

NS

т F

Время спада

123

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

43.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

77.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A,

р g =0.5Ω, L s =40nH,

в GE =-8V/+15V,

т vj =125 О C

172

NS

т р

Время нарастания

84

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

502

NS

т F

Время спада

206

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

86.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

99.1

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A,

р g =0.5Ω, L s =40nH,

в GE =-8V/+15V,

т vj =175 О C

174

NS

т р

Время нарастания

90

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

531

NS

т F

Время спада

257

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

99.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

105

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤8μs, в GE =15В,

т vj =150 О В,

в CC =800V, в СМК ≤ 1200В

2600

A

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т vj =175 О В,

в CC =800V, в СМК ≤ 1200В

2500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.60

2.00

в

Я F =900A,V GE =0V,T vj =125 О C

1.60

Я F =900A,V GE =0V,T vj =175 О C

1.50

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,т vj =25 О C

47.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

400

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.6

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,т vj =125 О C

82.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

401

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.5

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,т vj =175 О C

110

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

413

A

е rec

Обратное восстановление энергия

34.8

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к