GD800HFA120C2S_B20, Модуль IGBT, STARPOWER

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1200V 800А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура соединения 175oC
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Инвертор для привода мотора
Усилитель сервоуправления AC и DC
Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	значение	единица
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер Временное напряжение затвора-эмиттера	±20 ±30	В
Я C	Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C = 95 О C	1280 800	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 мс	1600	A
Р Г	Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C	3191	В

Диод

Символ	Описание	значение	единица
В RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст	1200	В
Я F	Диодная непрерывная прямая токовая способность вход	800	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	1600	A

Модуль

Символ	Описание	значение	единица
т vjmax	Максимальная температура стыка	175	О C
т vjop	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +175	О C
т СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	О C
В ИСО	Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min	4000	В

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C = 800 А,В GE =15В, т vj =25 О C		1.30	1.75	В
		Я C = 800 А,В GE =15В, т vj =125 О C		1.45
		Я C = 800 А,В GE =15В, т vj =150 О C		1.50
		Я C = 800 А,В GE =15В, т vj =175 О C		1.55
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C = 32,0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C	5.5	6.1	7.0	В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C			1.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C			400	НД
R Гинт	Сопротивление внутреннего воротника			0.38		Ω
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В		156		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность	В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В		1.10		НФ
Q g	Сбор за вход	В GE =-8...+15В		10.3		μC
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =800A, R g = 1,2Ω, В GE =-8V/+15V, т vj =25 О C		338		NS
т R	Время нарастания			174		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			1020		NS
т F	Время спада			100		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			65.2		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			88.8		mJ
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =800A, R g = 1,2Ω, В GE =-8V/+15V, т vj =125 О C		398		NS
т R	Время нарастания			203		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			1140		NS
т F	Время спада			183		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			96.6		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			109		mJ
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =800A, R g = 1,2Ω, В GE =-8V/+15V, т vj =150 О C		413		NS
т R	Время нарастания			213		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			1140		NS
т F	Время спада			195		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			105		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			113		mJ
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =800A, R g = 1,2Ω, В GE =-8V/+15V, т vj =175 О C		419		NS
т R	Время нарастания			223		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			1142		NS
т F	Время спада			205		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			110		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			115		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря
Я SC	Данные SC	т Р ≤8μs, В GE =15В, т vj =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В		3300		A
Я SC	Данные SC	т Р ≤6μs, В GE =15В, т vj =175 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В		3000		A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я F = 800 А,В GE =0V,T vj =2 5О C		1.85	2.30	В
		Я F = 800 А,В GE =0V,T vj =125 О C		1.85
		Я F = 800 А,В GE =0V,T vj =150 О C		1.85
		Я F = 800 А,В GE =0V,T vj =175 О C		1.85
Q R	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =800A, -di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, т vj =25 О C		28.6		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			311		A
е rec	Обратное восстановление энергия			13.9		mJ
Q R	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =800A, -di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, т vj =125 О C		56.8		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			378		A
е rec	Обратное восстановление энергия			23.7		mJ
Q R	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =800A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, т vj =150 О C		66.3		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			395		A
е rec	Обратное восстановление энергия			26.7		mJ
Q R	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =800A, -di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, т vj =175 О C		72.1		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			403		A
е rec	Обратное восстановление энергия			28.6		mJ

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся		20		nH
R CC+EE	Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу		0.42		мОм
R thJC	Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)			0.047 0.083	K/W
R thCH	Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)		0.031 0.055 0.010		K/W
м	Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
g	Вес из Модуль		320		g