GD75PFX170C6SG, Модуль IGBT, STARPOWER

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1700V 75А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Возможность короткого замыкания 10 мкм
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура соединения 175 ℃
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Инвертор для привода мотора
Усилитель сервоуправления AC и DC
Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено

IGBT-инвертор

Символ	Описание	Ценности	единица
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1700	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я C	Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C	139 75	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 мс	150	A
Р Г	Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 О C	559	В

DIODE-инвертор

Символ	Описание	Ценности	единица
В RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст	1700	В
Я F	Диод Непрерывный прямой ток ренты	75	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	150	A

Диод-прямой ток

Символ	Описание	значение	единица
В RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст	2000	В
Я О	Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида	75	A
Я ФСМ	Напряжение вперед t Р = 10 мс @ T vj = 25О C @ T vj =150 О C	1440 1206	A
Я 2т	Я 2t-значение,t Р = 10 мс @ T vj =25 О C @ T vj =150 О C	10368 7272	A 2s

Модуль

Символ	Описание	значение	единица
т vjmax	Максимальная температура соединения (инвертор) Максимальная температура соединения (прямой ток)	175 150	О C
т vjop	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +150	О C
т СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	О C
В ИСО	Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min	4000	В

IGBT -Инвертор Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =75A,V GE =15В, т vj =25 О C		1.85	2.20	В
		Я C =75A,V GE =15В, т vj =125 О C		2.25
		Я C =75A,V GE =15В, т vj =150 О C		2.35
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =3.0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C	5.6	6.2	6.8	В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C			400	НД
R Гинт	Сопротивление внутреннего воротника			8.5		Ω
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В		9.03		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность	В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В		0.22		НФ
Q g	Сбор за вход	В GE =-15 ...+15В		0.71		μC
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,В GE =±15В, Л s =46 nH ,т vj =25 О C		236		NS
т R	Время нарастания			42		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			356		NS
т F	Время спада			363		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			17.3		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			11.7		mJ
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,В GE =±15В, Л s =46 nH ,т vj =125 О C		252		NS
т R	Время нарастания			48		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			420		NS
т F	Время спада			485		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			27.1		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			16.6		mJ
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,В GE =±15В, Л s =46 nH ,т vj =150 О C		275		NS
т R	Время нарастания			50		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			432		NS
т F	Время спада			524		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			27.9		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			17.7		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤10μs, В GE =15В, т vj =150 О C ,В CC =1000V , В СМК ≤1700V		300		A

Диод -Инвертор Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =75A,V GE =0V,T vj =2 5О C		1.80	2.25	В
		Я F =75A,V GE =0V,T vj =12 5О C		1.90
		Я F =75A,V GE =0V,T vj =15 0О C		1.95
Q R	Восстановленная зарядка	В R =900V,I F =75A, -di/dt=1290A/μs,V GE = 15 В Л s =46 nH ,т vj =25 О C		10.3		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			84		A
е rec	Обратное восстановление энергия			7.44		mJ
Q R	Восстановленная зарядка	В R =900V,I F =75A, -di/dt=1100A/μs,V GE =- 15В Л s =46 nH ,т vj =125 О C		20.5		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			87		A
е rec	Обратное восстановление энергия			16.1		mJ
Q R	Восстановленная зарядка	В R =900V,I F =75A, -di/дт=1060A/μс,V GE = 15 В Л s =46 nH ,т vj =150 О C		22.5		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			97		A
е rec	Обратное восстановление энергия			19.2		mJ

Диод -выпрямитель Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я C =75A, т vj =150 О C		0.95		В
Я R	Обратный ток	т vj =150 О C ,В R =2000V			3.0	mA

НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
R 25	Номинальное сопротивление			5.0		кΩ
∆R/R	Отклонение из R 100	т C =100 О C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
Р 25	Мощность рассеяние				20.0	мВт
B 25/50	B-значение	R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		к
B 25/80	B-значение	R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		к
B 25/100	B-значение	R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		к

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица
R thJC	Переходный пункт -до -кейс (наIGBT -Инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)			0.268 0.481 0.289	K/W
R thCH	кейс -до -Радиатор (наIGBT -Инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус к радиатору (на Модуль)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
м	Крутящий момент установки, Винт:M5	3.0		6.0	Н.М
g	Вес из Модуль		300		g