GD75HFX170C1S,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

136

75

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

150

A

Р Г

Максимальное Мощность рассеяние @ т vj =175 О C

539

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

150

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =75A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.85

2.20

В

Я C =75A,V GE =15В, т vj =125 О C

2.25

Я C =75A,V GE =15В, т vj =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =3.0 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

8.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

9.03

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.22

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.71

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,В GE =±15В, лс =60 nH ,т vj =25 О C

237

NS

т R

Время нарастания

59

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

314

NS

т F

Время спада

361

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

25.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.5

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,В GE =±15В, лс =60 nH ,т vj =125 О C

254

NS

т R

Время нарастания

70

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

383

NS

т F

Время спада

524

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

33.3

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

15.1

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,В GE =±15В, лс =60 nH ,т vj =150 О C

257

NS

т R

Время нарастания

75

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

396

NS

т F

Время спада

588

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

36.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.6

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =150 О C ,В CC =1000V

В СМК ≤1700V

300

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =75A,V GE =0V,T vj =2 5О C

1.80

2.25

В

Я F =75A,V GE =0V,T vj =12 5О C

1.90

Я F =75A,V GE =0V,T vj =15 0О C

1.95

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15 В лс =60 nH ,т vj =25 О C

16.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

58

A

е rec

Обратное восстановление энергия

7.2

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15 В лс =60 nH ,т vj =125 О C

30.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

64

A

е rec

Обратное восстановление энергия

15.8

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15 В лс =60 nH ,т vj =150 О C

31.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

64

A

е rec

Обратное восстановление энергия

18.2

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.160 0.268 0.050

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

150

g