GD720HTA120P6HT,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

720

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =65 О C

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1440

A

Р Г

Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т vj =175 О C

1204

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность GE

1200

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

720

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1440

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

3000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т vj =25 О C

1.50

В

Я C =600А,В GE =15В, т vj =150 О C

1.80

Я C =600А,В GE =15В, т vj =175 О C

1.85

Я C =720А,V GE =15В, т vj =25 О C

1.60

Я C =720А,V GE =15В, т vj =175 О C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 15,6 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

6.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.67

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

48.7

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.55

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.26

НФ

Q g

Сбор за вход

В СЕ =800В,I C =600A, V GE =-8...+15В

3.52

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =800В,I C =600А,

R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л s =24нГн,

В GE =-8V/+15V, т vj =25 О C

208

NS

т R

Время нарастания

65

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

505

NS

т F

Время спада

104

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

77.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

62.2

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =800В,I C =600А,

R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л s =24нГн,

В GE =-8V/+15V, т vj =150 О C

225

NS

т R

Время нарастания

75

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

567

NS

т F

Время спада

191

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

110

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

83.4

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =800В,I C =600А,

R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л s =24нГн,

В GE =-8V/+15V, т vj =175 О C

226

NS

т R

Время нарастания

77

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

583

NS

т F

Время спада

203

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

118

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

85.9

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤4мкс, В GE =15В,

т vj =175 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T vj =2 5О C

1.95

В

Я F =600А,В GE =0V,T vj =150 О C

1.95

Я F =600А,В GE =0V,T vj =175 О C

1.90

Я F =720А,V GE =0V,T vj =2 5О C

2.05

Я F =720А,V GE =0V,T vj =175 О C

2.05

Q R

Восстановленная зарядка

В R =800В,I F =600А,

-di/dt=8281A/мкс, L s =24n H, В GE =-8V, т vj =25 О C

44.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

346

A

е rec

Обратное восстановление энергия

16.2

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =800В,I F =600А,

-ди/дт=6954A/μс, L s =24n H, В GE =-8V, т vj =150 О C

73.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

385

A

е rec

Обратное восстановление энергия

27.8

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =800В,I F =600А,

-ди/дт=6679A/μс, L s =24n H, В GE =-8V, т vj =175 О C

80.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

392

A

е rec

Обратное восстановление энергия

30.7

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

Р

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

т Основание < 40 О C

т Основание > 40 О C

(относительное давление)

2.5 2.0

Штанга

R ФНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

g

Вес из Модуль

750

g