GD720HTA120P6HLT, Модуль IGBT, STARPOWER

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1200V 720А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Низкие потери при переключении
способность к короткому замыканию 4мкс
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура соединения 175oC
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная пинфин-плита с использованием технологии Si3N4AMB

Типичные применения

Автомобильное применение
Гибридные и электрические транспортные средства
Инвертор для привода мотора

Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	Ценности	единица
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я CN	Использование коллектора Cu ренты	720	A
Я C	Коллекторный ток @ T F =65 О C	600	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 мс	1440	A
Р Г	Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т vj =175 О C	1204	В

Диод

Символ	Описание	Ценности	единица
В RRM	Повторяющаяся пиковая обратная напряженность GE	1200	В
Я ФН	Использование коллектора Cu ренты	720	A
Я F	Диод Непрерывный прямой ток ренты	600	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	1440	A

Модуль

Символ	Описание	значение	единица
т vjmax	Максимальная температура стыка	175	О C
т vjop	Рабочая температура развязки непрерывная Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я	-40 до +150 +150 до +175	О C
т СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	О C
В ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	3000	В

IGBT Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =600А,В GE =15В, т vj =25 О C		1.50		В
		Я C =600А,В GE =15В, т vj =150 О C		1.80
		Я C =600А,В GE =15В, т vj =175 О C		1.85
		Я C =720А,V GE =15В, т vj =25 О C		1.60
		Я C =720А,V GE =15В, т vj =175 О C		2.05
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C = 15,6 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C		6.0		В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C			1.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C			400	НД
R Гинт	Сопротивление внутреннего воротника			1.67		Ω
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В		48.7		НФ
C - Да.	Выходной объем			1.55		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность			0.26		НФ
Q g	Сбор за вход	В СЕ =800В,I C =600A, V GE =-8...+15В		3.52		μC
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC =800В,I C =600А, R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л s =24нГн, В GE =-8V/+15V, т vj =25 О C		208		NS
т R	Время нарастания			65		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			505		NS
т F	Время спада			104		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			77.7		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			62.2		mJ
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC =800В,I C =600А, R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л s =24нГн, В GE =-8V/+15V, т vj =150 О C		225		NS
т R	Время нарастания			75		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			567		NS
т F	Время спада			191		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			110		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			83.4		mJ
т Г (НА )	Время задержки включения	В CC =800В,I C =600А, R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л s =24нГн, В GE =-8V/+15V, т vj =175 О C		226		NS
т R	Время нарастания			77		NS
т d(off)	Выключение Время задержки			583		NS
т F	Время спада			203		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			118		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			85.9		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤4мкс, В GE =15В, т vj =175 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В		2600		A

Диод Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =600А,В GE =0V,T vj =2 5О C		1.95		В
		Я F =600А,В GE =0V,T vj =150 О C		1.95
		Я F =600А,В GE =0V,T vj =175 О C		1.90
		Я F =720А,V GE =0V,T vj =2 5О C		2.05
		Я F =720А,V GE =0V,T vj =175 О C		2.05
Q R	Восстановленная зарядка	В R =800В,I F =600А, -di/dt=8281A/мкс, L s =24n H, В GE =-8V, т vj =25 О C		44.3		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			346		A
е rec	Обратное восстановление энергия			16.2		mJ
Q R	Восстановленная зарядка	В R =800В,I F =600А, -ди/дт=6954A/μс, L s =24n H, В GE =-8V, т vj =150 О C		73.4		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			385		A
е rec	Обратное восстановление энергия			27.8		mJ
Q R	Восстановленная зарядка	В R =800В,I F =600А, -ди/дт=6679A/μс, L s =24n H, В GE =-8V, т vj =175 О C		80.7		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			392		A
е rec	Обратное восстановление энергия			30.7		mJ

НТЦ Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
R 25	Номинальное сопротивление			5.0		кΩ
∆R/R	Отклонение из R 100	т C =100 О C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
Р 25	Мощность рассеяние				20.0	мВт
B 25/50	B-значение	R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		к
B 25/80	B-значение	R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		к
B 25/100	B-значение	R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		к

Модуль Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся		8		nH
R CC+EE	Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип		0.75		мОм
Р	Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка т Основание < 40 О C т Основание > 40 О C (относительное давление)			2.5 2.0	Штанга
R ФНП	Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
м	Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
g	Вес из Модуль		750		g