GD600SGU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =70 О C

857

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150 О C

4310

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

значение

единица

т vjmax

Максимальная температура стыка

150

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т vj =25 О C

3.00

3.45

В

Я C =600А,В GE =15В, т vj =125 О C

3.80

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12 mA ,В СЕ = В GE , т vj =25 О C

4.8

5.8

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т vj =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.31

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

43.6

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

2.72

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15В…+15В

8.32

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R g =1.5Ом, В GE =±15В, лс =50 nH ,т vj =25 О C

317

NS

т R

Время нарастания

76

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

548

NS

т F

Время спада

55

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

20.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

34.2

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R g =1.5Ом, В GE =±15В, лс =50 nH ,т vj =125 О C

325

NS

т R

Время нарастания

79

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

595

NS

т F

Время спада

59

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

27.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

38.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т vj =125 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T vj =2 5О C

1.85

2.30

В

Я F =600А,В GE =0V,T vj =125 О C

1.90

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =600А,

-di/dt=7745A/μs,В GE = 15 В, лс =50 nH ,т vj =25 О C

58.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

489

A

е rec

Обратное восстановление энергия

28.1

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =600А,

-di/dt=7355A/μs,В GE = 15 В, лс =50 nH ,т vj =25 О C

100

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

563

A

е rec

Обратное восстановление энергия

48.2

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.029 0.069

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.014 0.034 0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g