1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

890

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2830

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc=600А,ВGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

52.0

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.68

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=15В

3.28

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg= 1. 1Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

332

NS

tr

Время нарастания

106

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

525

NS

tf

Время спада

125

NS

eна

Включить переход

потеря

12.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

54.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg= 1. 1Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

335

NS

tr

Время нарастания

110

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

575

NS

tf

Время спада

168

NS

eна

Включить переход

потеря

21.2

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

69.2

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg= 1. 1Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

340

NS

tr

Время нарастания

112

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

586

NS

tf

Время спада

185

NS

eна

Включить переход

потеря

22.9

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

74.0

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oВ,

vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.85

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=5800A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

58.6

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

472

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

29.6

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=5800A/μs,VGE=- 15V, tj= 125oc

106

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

604

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

52.8

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=5800A/μs,VGE=- 15V, tj= 150oc

122

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

644

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

60.7

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.18

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.053

0.071

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.061

0.082

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g