все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD600HFY120C6S

Модуль IGBT, 1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C6S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • максимальныйтемпература соединения175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Гибридный и электрический Вавтомобиль
  • Инверторы для двигателей dпривод
  • Бесперебойное питаниеr поставки

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1090

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

3947

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

 

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc

 

1.90

 

Яc=600А,ВGE=15В, tj=150oc

 

1.95

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.2

5.8

6.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

0.7

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

62.1

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.74

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

4.62

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg=1.5Ω,ВGE=±15В, tj=25oc

 

136

 

NS

tr

Время нарастания

 

77

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

494

 

NS

tf

Время спада

 

72

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

53.1

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

48.4

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg=1.5Ω,ВGE=±15В, tj=125oc

 

179

 

NS

tr

Время нарастания

 

77

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

628

 

NS

tf

Время спада

 

113

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

70.6

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

74.2

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg=1.5Ω,ВGE=±15В, tj=150oc

 

179

 

NS

tr

Время нарастания

 

85

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

670

 

NS

tf

Время спада

 

124

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

76.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

81.9

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

 

 

2400

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.95

2.40

 

v

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=125oc

 

2.05

 

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=150oc

 

2.10

 

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,tj=25oc

 

58.9

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

276

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

20.9

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,tj=125oc

 

109

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

399

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

41.8

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,tj=150oc

 

124

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

428

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

48.5

 

МГ

 

НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

 

 

5.0

 

кΩ

ΔR/R

Отклонение из r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

Энергия

рассеивание

 

 

 

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3375

 

K

b25/80

B-значение

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3411

 

K

b25/100

B-значение

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3433

 

K

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

 

0.038

0.066

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

 

0.028

0.049

0.009

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

 

6.0

6.0

n.m.

g

вес из модуль

 

350

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000