GD600HFX170C6S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллектор Ток @ Т C =25 о C

@ Т C = 100о C

1069

600

A

Я CM

Импульсный Коллектор Ток т р =1 mS

1200

A

Р Г

Максимальное Мощность Рассеяние @ Т j =175 о C

4166

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

В

Я F

Диод непрерывного прямого тока

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура соединения атмосфера

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В СЕ (сидел )

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А, В GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =600А, В GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =600А, В GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12.0mA ,В СЕ = В GE ,Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Ток коллектора отключения

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V,

Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.1

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=1 МГц ,

В GE =0В

72.3

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.75

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

5.66

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 900 В, Я C =600А, R G = 1.0Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C

160

nS

т r

Время нарастания

67

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

527

nS

т f

Время спада

138

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

154

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

132

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 900 В, Я C =600А, R G = 1.0Ω, В GE =±15В, Т j = 125о C

168

nS

т r

Время нарастания

80

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

585

nS

т f

Время спада

168

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

236

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

189

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 900 В, Я C =600А, R G = 1.0Ω, В GE =±15В, Т j = 150о C

192

nS

т r

Время нарастания

80

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

624

nS

т f

Время спада

198

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

259

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

195

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C ,В CC = 1000V, В СМК ≤1700V

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А, В GE =0V, Т j =25 о C

1.80

2.25

В

Я F =600А, В GE =0V, Т j = 125о C

1.90

Я F =600А, В GE =0V, Т j = 150о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 900 В, Я F =600А,

-ди /dt =6700A/μs, В GE =- 15В Т j =25 о C

153

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

592

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

76.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 900 В, Я F =600А,

-ди /dt =6700A/μs, В GE =- 15В Т j =125 о C

275

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

673

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

150

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 900 В, Я F =600А,

-ди /dt =6700A/μs, В GE =- 15В Т j =150 о C

299

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

690

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

173

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

В- значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

В- значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

В- значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC + EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

1.10

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (на IGBT )

Переходный пункт -до -Кейс (на Диод )

0.036

0.073

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (на IGBT )

Кейс -до -Радиатор (на Диод )

Корпус к радиатору (на модуль)

0.027

0.055

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М6 Монтаж Крутящий момент , Винт М 5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Вес Модуль

350

g