Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллектор ток @ т C =25 О C

@ т C = 100О C

1069

600

A

Я CM

Импульсный Коллектор ток т Р =1 MS

1200

A

Р Д

Максимальное Мощность рассеяние @ т j =175 О C

4166

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

в

Я F

Диод непрерывного прямого тока

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура соединения атмосфера

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в СЕ (сидел )

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А, в GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

в

Я C =600А, в GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =600А, в GE =15В, т j =150 О C

2.35

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12.0mA ,в СЕ = в GE ,т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Ток коллектора отключения

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V,

т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.1

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=1 МГц ,

в GE =0В

72.3

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.75

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

5.66

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 900 В, Я C =600А, р g = 1.0Ω, в GE =±15В, т j =25 О C

160

NS

т р

Время нарастания

67

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

527

NS

т F

Время спада

138

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

154

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

132

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 900 В, Я C =600А, р g = 1.0Ω, в GE =±15В, т j = 125О C

168

NS

т р

Время нарастания

80

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

585

NS

т F

Время спада

168

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

236

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

189

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 900 В, Я C =600А, р g = 1.0Ω, в GE =±15В, т j = 150О C

192

NS

т р

Время нарастания

80

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

624

NS

т F

Время спада

198

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

259

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

195

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, в GE =15В,

т j =150 О C ,в CC = 1000V, в СМК ≤1700V

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А, в GE =0V, т j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F =600А, в GE =0V, т j = 125О C

1.90

Я F =600А, в GE =0V, т j = 150О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 900 В, Я F =600А,

-ди /dt =6700A/μs, в GE =- 15В т j =25 О C

153

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

592

A

е rec

Обратное восстановление энергия

76.5

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 900 В, Я F =600А,

-ди /dt =6700A/μs, в GE =- 15В т j =125 О C

275

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

673

A

е rec

Обратное восстановление энергия

150

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 900 В, Я F =600А,

-ди /dt =6700A/μs, в GE =- 15В т j =150 О C

299

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

690

A

е rec

Обратное восстановление энергия

173

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из р 100

т C = 100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

В- значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

В- значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

В- значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

1.10

мОм

р thJC

Переходный пункт -до -Чехол (на IGBT )

Переходный пункт -до -Чехол (на Диод )

0.036

0.073

K/W

р thCH

Чехол -до -Радиатор (на IGBT )

Чехол -до -Радиатор (на Диод )

Корпус к радиатору (на модуль)

0.027

0.055

0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М6 Монтаж Крутящий момент , Винт м 5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Вес Модуль

350

g