Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
v |
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
± 20 |
v |
Яc |
Коллектор текущий@ tc=25oc @tc= 100oc |
1069 600 |
A |
Ясм |
пульсирующий Коллектор текущий tp= 1мс |
1200 |
A |
pd |
максимальный Энергия рассеивание@tj=175oc |
4166 |
w |
Диод
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vRRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
v |
Яf |
Диод непрерывного прямого тока |
600 |
A |
ЯФм |
Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс |
1200 |
A |
модуль
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
tjmax |
Максимальная температура соединения- Подождите. |
175 |
oc |
t- Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40в +150 |
oc |
tСТГ |
диапазон температуры хранения |
-40в +125 |
oc |
vИзо |
Изоляция напряжение РМС, f=50hz,t=1минуты |
4000 |
v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
vCE(сидел) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc=600А,vGE=15В, tj=25oc |
|
1.85 |
2.20 |
v |
Яc=600А,vGE=15В, tj=125oc |
|
2.25 |
|
|||
Яc=600А,vGE=15В, tj=150oc |
|
2.35 |
|
|||
vGE(В) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc= 12.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
ЯCES |
Ток коллектора отключения текущий |
vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
5.0 |
Мамочка |
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25oc |
|
|
400 |
- Нет |
rГинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.1 |
|
О |
cИ.е. |
Входной пропускной способностью |
vCE=25V,f=1МГЗ- Да. vGE=0В |
|
72.3 |
|
НФ |
cре |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.75 |
|
НФ |
|
qg |
Сбор за вход |
vGE=- 15…+15В |
|
5.66 |
|
μC |
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 900 В,Яc=600А, rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj=25oc |
|
160 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
67 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
527 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
138 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
154 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
132 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 900 В,Яc=600А, rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj= 125oc |
|
168 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
80 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
585 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
168 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
236 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
189 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 900 В,Яc=600А, rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj= 150oc |
|
192 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
80 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
624 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
198 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
259 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
195 |
|
МГ |
|
Яsc |
Данные SC |
tp≤10μs,vGE=15В, tj=150oc- Да.vСк.= 1000V, vСМК≤1700V |
|
2400 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf=600А,vGE=0V,tj=25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
Яf=600А,vGE=0V,tj= 125oc |
|
1.90 |
|
|||
Яf=600А,vGE=0V,tj= 150oc |
|
1.95 |
|
|||
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 900 В,Яf=600А, -- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=25oc |
|
153 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
592 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
76.5 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 900 В,Яf=600А, -- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=125oc |
|
275 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
673 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
150 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vr= 900 В,Яf=600А, -- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=150oc |
|
299 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
690 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
|
173 |
|
МГ |
НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
r25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
ΔR/R |
Отклонение из r100 |
tc= 100 oc,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
p25 |
Энергия рассеивание |
|
|
|
20.0 |
МВ |
b25/50 |
В-стоимость |
r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
b25/80 |
В-стоимость |
r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
b25/100 |
В-стоимость |
r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
НН |
rСк.+EE’ |
Сопротивление выводов модуля, терминалк чипу |
|
1.10 |
|
mΩ |
rthJC |
Переходный пункт-в-Кейс(за ИГБТ) Переходный пункт-в-Кейс(за Диод) |
|
|
0.036 0.073 |
K/W |
rthCH |
Кейс-в-Радиатор(за ИГБТ) Кейс-в-Радиатор(за Диод) Корпус к радиатору (на модуль) |
|
0.027 0.055 0.009 |
|
K/W |
m |
Крутящий момент соединения терминала, винтm6 Монтаж крутящий момент- Да. винт m5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
n.m. |
g |
Вес модуль |
|
350 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.