все категории

1700В

1700В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1700В

GD600HFX170C6S

IGBT Модуль,1700V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX170C6S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий@ tc=25oc

@tc= 100oc

1069

600

A

Ясм

пульсирующий Коллектор текущий  tp= 1мс

1200

A

pd

максимальный Энергия рассеивание@tj=175oc

4166

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывного прямого тока

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура соединения- Подождите.

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40в +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40в +125

oc

vИзо

Изоляция напряжение  РМС, f=50hz,t=1минуты

4000

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE(сидел)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,vGE=15В, tj=25oc

 

1.85

2.20

 

 

v

Яc=600А,vGE=15В, tj=125oc

 

2.25

 

Яc=600А,vGE=15В, tj=150oc

 

2.35

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Ток коллектора отключения

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,

tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

 

 

1.1

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=1МГЗ- Да.

vGE=0В

 

72.3

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.75

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

5.66

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 900 В,Яc=600А,  rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj=25oc

 

160

 

NS

tr

Время нарастания

 

67

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

527

 

NS

tf

Время спада

 

138

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

154

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

132

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 900 В,Яc=600А,  rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj= 125oc

 

168

 

NS

tr

Время нарастания

 

80

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

585

 

NS

tf

Время спада

 

168

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

236

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

189

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 900 В,Яc=600А,  rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj= 150oc

 

192

 

NS

tr

Время нарастания

 

80

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

624

 

NS

tf

Время спада

 

198

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

259

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

195

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tj=150oc- Да.vСк.= 1000V, vСМК≤1700V

 

 

2400

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,vGE=0V,tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Яf=600А,vGE=0V,tj= 125oc

 

1.90

 

Яf=600А,vGE=0V,tj= 150oc

 

1.95

 

qr

Восстановленная зарядка

vr= 900 В,Яf=600А,

-- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=25oc

 

153

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

592

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

76.5

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 900 В,Яf=600А,

-- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=125oc

 

275

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

673

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

150

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 900 В,Яf=600А,

-- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=150oc

 

299

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

690

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

173

 

МГ

НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

 

 

5.0

 

кΩ

ΔR/R

Отклонение из r100

tc= 100 oc,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

Энергия

рассеивание

 

 

 

20.0

МВ

b25/50

В-стоимость

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3375

 

K

b25/80

В-стоимость

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3411

 

K

b25/100

В-стоимость

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3433

 

K

 

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

20

 

НН

rСк.+EE

Сопротивление выводов модуля, терминалк чипу

 

1.10

 

rthJC

Переходный пункт-в-Кейс(за ИГБТ)

Переходный пункт-в-Кейс(за Диод)

 

 

0.036

0.073

K/W

 

rthCH

Кейс-в-Радиатор(за ИГБТ)

Кейс-в-Радиатор(за Диод)

Корпус к радиатору (на модуль)

 

0.027

0.055

0.009

 

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винтm6 Монтаж крутящий момент- Да. винт m5

3.0

3.0

 

6.0

6.0

n.m.

g

Вес модуль

 

350

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000