GD600HFX120C6SA,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

1108

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

4054

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

В

Я C =600А,В GE =15В, т j =125 О C

1.90

Я C =600А,В GE =15В, т j =150 О C

1.95

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

62.1

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.74

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

4.62

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R g = 1,2Ω, Л s =34 nH , В GE =±15В,Т j =25 О C

266

NS

т R

Время нарастания

82

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

400

NS

т F

Время спада

192

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

65.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.3

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R g = 1,2Ω, Л s =34 nH , В GE =±15В,Т j =125 О C

282

NS

т R

Время нарастания

94

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

448

NS

т F

Время спада

290

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

96.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

67.3

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R g = 1,2Ω, Л s =34 nH , В GE =±15В,Т j =150 О C

286

NS

т R

Время нарастания

94

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

459

NS

т F

Время спада

299

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

107

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

70.3

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 О C

1.95

2.40

В

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 25О C

2.05

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 50О C

2.10

Q R

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5500A/μс, L s =34нГ, В GE =-15В, T j =25 О C

23.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

260

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.7

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4700A/μс, L s =34нГ, В GE =-15В, T j =125 О C

65.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

293

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.4

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4600A/μс, L s =34нГ, В GE =-15В, T j =150 О C

76.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

306

A

е rec

Обратное восстановление энергия

30.6

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.037 0.065

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028 0.050 0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

350

g