все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD600HFX120C2S

Модуль IGBT, 1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкий VCE(сидел) Опоры ИГБТ технологии
  • 10 мкм короткое замыкание емкостьспособность
  • vCE(сидел) с положительный температура коэффициент
  • максимальный температура соединения 175oc
  • Низкая индуктивность Кейс
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
  • Изолированная медная основас использованием технологии HPS DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • АС и ДС серво ездить Усилитель
  • Непрерывное питаниеЭ поставки

 

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

± 20

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

873

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2727

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Напряжение изоляции  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

 

1.75

2.20

 

 

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc

 

2.00

 

Яc=600А,ВGE=15В, tj=150oc

 

2.05

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

 

 

0.7

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

55.9

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.57

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

4.20

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=1.5Ω

- Я не знаю.С=34nH,  VGE=±15В,Тj=25oc

 

109

 

NS

tr

Время нарастания

 

62

 

NS

td(off)

Выключение время задержки

 

469

 

NS

tf

Время спада

 

68

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

42.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

46.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=1.5Ω,

Я...С=34НН- Да.- Что?

vGE=±15В,Тj=125oc

 

143

 

NS

tr

Время нарастания

 

62

 

NS

td(off)

Выключение время задержки

 

597

 

NS

tf

Время спада

 

107

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

56.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

70.5

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=1.5Ω,

Я...С=34НН- Да.  

 vGE=±15В,Тj=150oc

 

143

 

NS

tr

Время нарастания

 

68

 

NS

td(off)

Выключение время задержки

 

637

 

NS

tf

Время спада

 

118

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

61.2

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

77.8

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

 

 

2400

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

 

1.95

2.40

 

v

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 125oc

 

2.05

 

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 150oc

 

2.10

 

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,Я...С=34НН- Да.tj=25oc

 

58.9

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

276

 

A

erec

Обратное восстановление энергетики

 

20.9

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,Я...С=34НН- Да.tj=125oc

 

109

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

399

 

A

erec

Обратное восстановление энергетики

 

41.8

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,Я...С=34НН- Да.tj=150oc

 

124

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

428

 

A

erec

Обратное восстановление энергетики

 

48.5

 

МГ

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

20

НН

rCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

 

0.35

 

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

 

 

0.055

0.089

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (наIGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

 

0.032

0.052

0.010

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

 

300

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000