GD50PIX170C6SA,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

100

50

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

100

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

384

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

50

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

100

A

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1600

В

Я О

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

50

A

Я ФСМ

Пиковый прямой ток V R =0V,T Р =10мс,Т j =45 О C

850

A

Я 2т

Я 2t-значение,V R =0V,T Р =10м s,T j =45 О C

3610

A 2s

Символ

Описание

значение

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =100 О C

100

50

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

100

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

384

В

Символ

Описание

значение

единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

50

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

100

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =50A,V GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

В

Я C =50A,V GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =50A,V GE =15В, т j =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =2.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

9.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

6.02

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.15

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.47

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R g = 9,6Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

163

NS

т R

Время нарастания

44

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

290

NS

т F

Время спада

347

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

12.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

7.28

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R g = 9,6Ω,V GE =±15В, т j =125 О C

186

NS

т R

Время нарастания

51

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

361

NS

т F

Время спада

535

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.1

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R g = 9,6Ω,V GE =±15В, т j =150 О C

192

NS

т R

Время нарастания

52

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

374

NS

т F

Время спада

566

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

20.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =50A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

В

Я F =50A,V GE =0V,T j =125 О C

1.95

Я F =50A,V GE =0V,T j =150 О C

1.90

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C

11.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

48

A

е rec

Обратное восстановление энергия

6.08

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В т j =125 О C

20.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

52

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.4

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В т j =150 О C

23.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =50A, В GE =0V, т j =150 О C

1.14

В

Я R

Обратный ток

т j =150 О C,V R =1600В

3.0

mA

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =50A,V GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

В

Я C =50A,V GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =50A,V GE =15В, т j =150 О C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =2.0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

9.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

6.02

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.15

НФ

Q g

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.47

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R g = 9,6Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

163

NS

т R

Время нарастания

44

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

290

NS

т F

Время спада

347

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

12.7

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

7.28

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R g = 9,6Ω,V GE =±15В, т j =125 О C

186

NS

т R

Время нарастания

51

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

361

NS

т F

Время спада

535

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.1

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =50A, R g = 9,6Ω,V GE =±15В, т j =150 О C

192

NS

т R

Время нарастания

52

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

374

NS

т F

Время спада

566

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

20.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.0

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =50A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

В

Я F =50A,V GE =0V,T j =125 О C

1.95

Я F =50A,V GE =0V,T j =150 О C

1.90

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C

11.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

48

A

е rec

Обратное восстановление энергия

6.08

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В т j =125 О C

20.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

52

A

е rec

Обратное восстановление энергия

11.4

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15 В т j =150 О C

23.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54

A

е rec

Обратное восстановление энергия

13.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

60

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

4.00 2.00

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -кейс (наIGBT -Инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик) Переходный пункт -до -кейс (наIGBT -Тормоз )

Соединение с корпусом (на диод-брат) (смеется)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

кейс -до -Радиатор (наIGBT -Инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) кейс -до -Радиатор (наIGBT -Тормоз )

Корпус-к-радиатору (на каждый дио д-тормоз) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

м

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g