1200 В

Символ

описание

GD450HFT120C6S_G8

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25°C

@ Tc=100°C

660

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

450

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

900

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175°C

2083

w

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Напряжение изоляции  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5

3,0 до 6.0

3,0 до 6.0

n.m.

g

вес из модуль

910

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=25°C

360

NS

tr

Время нарастания

140

NS

td(off)

Выключение время задержки

550

NS

tf

Время спада

146

NS

eна

Включить переход

потеря

11.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

48.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=125°C

374

NS

tr

Время нарастания

147

NS

td(off)

Выключение время задержки

623

NS

tf

Время спада

178

NS

eна

Включить переход

потеря

17.9

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

64.5

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

39.0

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.26

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tj=125°CVСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

1800

A

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.67

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

1.10

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450А

tj=25°C

1.65

2.25

v

tj=125°C

1.65

qr

Восстановлено

заряд

Яf=450A,

vr=600 В,

rg=1.5Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

41.6

μC

tj=125°C

77.5

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

241

A

tj=125°C

325

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

23.2

МГ

tj=125°C

43.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

r100=493.3Ω

-5

5

%

p25

рассеивание мощности

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

3375

K

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

0.072

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.110

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь)(включая)

0.005

K/W