все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD450HTT120C7S

Модуль IGBT, 1200В 450А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Введение
Введение

Особенности

  • низкий vCE (США)технология IGBT с канавкамиГй
  • низкий потери при переключении
  • 10 мкм возможности короткого замыкания
  • Квадратная RBSOA
  • vCE (США) с положительным температурным коэффициентом
  • Низкая индуктивность Кейс
  • Быстро и быстро мягкая обратная рекуперация антипараллельная FWD
  • Изолированная медь baсеплата с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инверторы для двигателей ездить
  • АС и ДС серво ездить Усилитель
  • бесперебойный источник питания

IGBT-инверторtc=25°C если не указано иное

Максимальные номинальные значения

 

Символ

описание

GD450HTT120C7S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер    @ Tj=25°C

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

p- Да.

Общая мощность рассеяния    @ Tj=175°C

2155

w

tsc

Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=150°C

10

μs

Не характеризуется

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(BR)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

 

 

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C

 

 

400

- Нет

О характеристиках

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=18.0mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

 

 

vCE (США)

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25°C

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc=450A,VGE=15В, tj=125°C

 

1.90

 

Изменение характераИстики

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

eна

Включить переход

потеря

 

vСк.= 600 В,Ic=450A,   Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=25°C

 

23.0

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

31.0

 

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

 

54.0

 

МГ

eна

Включить переход

потеря

 

vСк.= 600 В,Ic=450A,   Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=125°C

 

36.0

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

48.0

 

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

 

84.0

 

МГ

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,   rg=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

 

160

 

NS

tr

Время нарастания

 

90

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

500

 

NS

tf

Время спада

 

130

 

NS

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,   rg=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

 

170

 

NS

tr

Время нарастания

 

100

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

570

 

NS

tf

Время спада

 

160

 

NS

cИ.е.

Входной пропускной способностью

 

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

32.3

 

НФ

c- Да.

Выходной объем

 

1.69

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.46

 

НФ

 

Яsc

 

Данные SC

tСc10 мс,ВGE 15V, tj=125°C- Да.

vСк.= 900 В, vСМК 1200 В

 

 

1800

 

 

A

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

 

 

1.7

 

qg

Сбор за вход

vGE=-15…+15V

 

4.3

 

μC

 

 

DIODE-инверторtc=25°C если не указаноиное

Максимальные номинальные значения

Символ

описание

GD450HTT120C7S

единицы

vRRM

Напряжение коллектор-эмиттер    @ Tj=25°C

1200

v

Яf

DC Прямой ток    @ tc=80°C

450

A

ЯФРМ

Повторяющийся пиковый переходный ток tp=1мс

900

A

Я2t

Я2t-значение,Vr=0V, Tp=10ms, Tj=125°C

35000

A2С

 

Характеристики Ценности

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,VGE=0В

tj=25°C

 

1.65

2.15

v

tj=125°C

 

1.65

 

qr

Восстановленная зарядка

 

Яf=450A,

vr=600 В,

di/dt=-5200A/μs, vGE= 15 В

tj=25°C

 

45.1

 

NS

tj=125°C

 

84.6

 

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

 

316

 

A

tj=125°C

 

404

 

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

 

21.1

 

МГ

tj=125°C

 

38.9

 

электрические характеристики из НТЦ tc=25°C если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

r25

Номинальное сопротивление

 

 

5.0

 

кΩ

ΔR/R

Отклонение из r100

tc=100°C,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

рассеивание мощности

 

 

 

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25exp[B25/50(1/T2-1/(298.1 5K))]

 

3375

 

K

 

 

 

модуль igbt

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

 

2500

 

v

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

20

 

НН

rСк.+EE

Модуль свинцового сопротивленияce,Терминал к чипу @ Tc=25°C

 

1.1

 

mО

rθJC

Переходный пункт-в-Кейс(наIGBT)

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

 

0.058

0.102

K/W

rθCS

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

 

0.005

 

K/W

tj

Максимальная температура стыка

 

 

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40

 

125

°C

монтаж

крутящий момент

Терминал питания Винт:M5

3.0

 

6.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3.0

 

6.0

n.m.

вес

Вес модуль

 

910

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000