Особенности
типичный Приложения
IGBT-инверторtc=25°C если не указано иное
Максимальные номинальные значения
Символ |
описание |
GD450HTT120C7S |
единицы |
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер @ Tj=25°C |
1200 |
v |
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
v |
Яc |
Ток коллектора @ Tc=25°C @ Tc=80°C |
650 450 |
A |
Ясм |
Импульсный коллекторный ток tp=1 мс |
900 |
A |
p- Да. |
Общая мощность рассеяния @ Tj=175°C |
2155 |
w |
tsc |
Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=150°C |
10 |
μs |
Не характеризуется
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
v(BR)CES |
Сборщик-выпускник напряжение отключения |
tj=25°C |
1200 |
|
|
v |
ЯCES |
Коллектор отрезать-выключенный текущий |
vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C |
|
|
5.0 |
Мамочка |
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C |
|
|
400 |
- Нет |
О характеристиках
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
vГЭ ((th) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc=18.0mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc=450A,VGE=15В, tj=25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Яc=450A,VGE=15В, tj=125°C |
|
1.90 |
|
Изменение характераИстики
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
eна |
Включить переход потеря |
vСк.= 600 В,Ic=450A, Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=25°C |
|
23.0 |
|
МГ |
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
31.0 |
|
МГ |
|
e- Да. |
в целом Потери при переключении |
|
54.0 |
|
МГ |
|
eна |
Включить переход потеря |
vСк.= 600 В,Ic=450A, Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=125°C |
|
36.0 |
|
МГ |
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
48.0 |
|
МГ |
|
e- Да. |
в целом Потери при переключении |
|
84.0 |
|
МГ |
td(on) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg=1.6Ω, vGE=±15V, tj=25°C |
|
160 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
90 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
500 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
130 |
|
NS |
|
td(on) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg=1.6Ω, vGE=±15V, tj=125°C |
|
170 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
100 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
570 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
160 |
|
NS |
|
cИ.е. |
Входной пропускной способностью |
vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
|
32.3 |
|
НФ |
c- Да. |
Выходной объем |
|
1.69 |
|
НФ |
|
cре |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.46 |
|
НФ |
|
Яsc |
Данные SC |
tСc≤10 мс,ВGE ≤15V, tj=125°C- Да. vСк.= 900 В, vСМК ≤1200 В |
|
1800 |
|
A |
rГинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.7 |
|
Ω |
qg |
Сбор за вход |
vGE=-15…+15V |
|
4.3 |
|
μC |
DIODE-инверторtc=25°C если не указаноиное
Максимальные номинальные значения
Символ |
описание |
GD450HTT120C7S |
единицы |
vRRM |
Напряжение коллектор-эмиттер @ Tj=25°C |
1200 |
v |
Яf |
DC Прямой ток @ tc=80°C |
450 |
A |
ЯФРМ |
Повторяющийся пиковый переходный ток tp=1мс |
900 |
A |
Я2t |
Я2t-значение,Vr=0V, Tp=10ms, Tj=125°C |
35000 |
A2С |
Характеристики Ценности
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
|
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf=450A,VGE=0В |
tj=25°C |
|
1.65 |
2.15 |
v |
tj=125°C |
|
1.65 |
|
||||
qr |
Восстановленная зарядка |
Яf=450A, vr=600 В, di/dt=-5200A/μs, vGE= 15 В |
tj=25°C |
|
45.1 |
|
NS |
tj=125°C |
|
84.6 |
|
||||
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
tj=25°C |
|
316 |
|
A |
|
tj=125°C |
|
404 |
|
||||
erec |
Обратное восстановление энергетики |
tj=25°C |
|
21.1 |
|
МГ |
|
tj=125°C |
|
38.9 |
|
электрические характеристики из НТЦ tc=25°C если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
r25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
ΔR/R |
Отклонение из r100 |
tc=100°C,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
p25 |
рассеивание мощности |
|
|
|
20.0 |
МВ |
b25/50 |
B-значение |
r2=R25exp[B25/50(1/T2-1/(298.1 5K))] |
|
3375 |
|
K |
модуль igbt
Символ |
Параметр |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
vИзо |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min |
|
2500 |
|
v |
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
НН |
rСк.+EE’ |
Модуль свинцового сопротивленияce,Терминал к чипу @ Tc=25°C |
|
1.1 |
|
mО |
rθJC |
Переходный пункт-в-Кейс(наIGBT) Соединение с корпусом (на D)йода) |
|
|
0.058 0.102 |
K/W |
rθCS |
Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание) |
|
0.005 |
|
K/W |
tj |
Максимальная температура стыка |
|
|
150 |
°C |
tСТГ |
диапазон температуры хранения |
-40 |
|
125 |
°C |
монтаж крутящий момент |
Терминал питания Винт:M5 |
3.0 |
|
6.0 |
n.m. |
монтаж Винт: M6 |
3.0 |
|
6.0 |
n.m. |
|
вес |
Вес модуль |
|
910 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.