все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD450HTL120C7S

Модуль IGBT, 1200В 450А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTL120C7S
  • Введение
Введение

Особенности

  • низкий vCE(сидел) ППП+ИГБТ технологии
  • низкий потери при переключении
  • 10 мкм возможности короткого замыкания
  • Квадратная RBSOA
  • vCE(сидел) с положительный температура коэффициент
  • низкий корпус индуктивности
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное fwd
  • Изолированные медные базыЭплата с использованием технологии DBC

Типичные приложения

  • Инверторы для двигателей ездить
  • АС и ДС сервопривод - Да, конечно.Вперёд
  • бесперебойный источник питания

ИГБТ-Инвертор tc=25°C если только В противном случае Замечание

Максимальные номинальные значения

 

Символ

описание

GD450HTL120C7S

единицы

vCES

Напряжение коллектора-излучателя @ Tj=25°C

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

900

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

p- Да.

Общее рассеивание энергии@ Tj= 175°C

3191

w

Не характеризуется

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

 

 

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

 

 

400

- Нет

О характеристиках

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc= 18,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

 

 

vCE (США)

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25°C

 

2.00

2.45

 

 

v

Яc=450A,VGE=15В, tj= 125°C

 

2.20

 

Смена характеристик

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

4.6

 

μC

eна

Включение переключения

потеря

 

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=2.3Ω,ВGE=±15V, tj=25°C

 

48

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

28

 

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

 

76

 

МГ

eна

Включение переключения

потеря

 

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=2.3Ω,ВGE=±15V, tj= 125°C

 

66

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

45

 

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

 

111

 

МГ

d(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,   rg=2.3Ω,ВGE= ±15 v,tj=25°C

 

205

 

NS

tr

Время нарастания

 

70

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

465

 

NS

tf

Время спада

 

50

 

NS

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,   rg=2.3Ω,ВGE= ±15 v, tj= 125°C

 

225

 

NS

tr

Время нарастания

 

70

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

520

 

NS

tf

Время спада

 

75

 

NS

cИ.е.

Входной пропускной способностью

 

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

31.8

 

НФ

c- Да.

Выходной объем

 

2.13

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.41

 

НФ

 

Яsc

 

Данные SC

tСc10 мс,ВGE 15 v, tj= 125°CVСк.=600 В, vСМК1200 В

 

 

2250

 

 

A

rГинт

Внутренний резис вороттанцевать

 

 

0.7

 

О

 

Диод-Инвертор tc=25°C если только В противном случае Замечание

Максимальные номинальные значения

 

Символ

описание

GD450HTL120C7S

единицы

vRRM

Напряжение коллектора-излучателя @ Tj=25°C

1200

v

Яf

Продолжающий ток @ Tc=80°C

450

A

ЯФРМ

Повторяющийся пиковый переходный ток tp=1 мс

900

A

Характеристики Ценности

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,vGE=0В

tj=25°C

 

1.80

2.20

v

tj= 125°C

 

1.90

 

qr

Восстановленная зарядка

 

vr=600 v,

Яf=450A,

rg=2.3Ω,

vGE=- 15 В

tj=25°C

 

58

 

μC

tj= 125°C

 

99

 

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

 

372

 

A

tj= 125°C

 

492

 

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

 

22

 

МГ

tj= 125°C

 

45

 

электрические характеристики из НТЦ tc=25°C если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

r25

Номинальное сопротивление

 

 

5.0

 

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc= 100°C,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

рассеивание мощности

 

 

 

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25exp[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))]

 

3375

 

K

 

модуль igbt

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

 

2500

 

v

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

20

 

НН

rСк.+EE 

Модуль сопротивления свинцу, терминал к чипу @ Tc=25°C

 

1.1

 

mО

rθД.К.

Соединение с делом (на IG)БТ)

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

 

0.047

0.078

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

 

0.005

 

K/W

tjmax

Максимальная температура стыка

 

 

175

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40

 

125

°C

монтаж

крутящий момент

Шпилька силового терминала:M5

3.0

 

6.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3.0

 

6.0

n.m.

вес

вес из модуль

 

910

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000