1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

680

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

2173

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

450

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

900

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25oc

1.70

2.05

v

Яc=450A,VGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc=450A,VGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 11,3Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.7

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

46.6

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

3.50

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

328

NS

tr

Время нарастания

76

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

539

NS

tf

Время спада

108

NS

eна

Включить переход

потеря

19.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

46.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=125oc

376

NS

tr

Время нарастания

86

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

595

NS

tf

Время спада

214

NS

eна

Включить переход

потеря

36.3

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

53.5

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=150oc

380

NS

tr

Время нарастания

89

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

608

NS

tf

Время спада

232

NS

eна

Включить переход

потеря

41.7

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

55.5

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Яf=450A,VGE=0V,Tj=125oc

1.65

Яf=450A,VGE=0V,Tj=150oc

1.65

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

29.4

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

275

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

13.2

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=125oc

68.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

342

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

31.6

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=150oc

79.6

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

354

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

35.8

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцового сопротивления- Да, конечно, я не знаю.

0.35

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.069

0.108

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g