все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD450HFX120C2SA

Модуль IGBT, 1200В 450А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C2SA
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкий VCE(сидел) Опоры ИГБТ технологии
  • 10 мкм короткое замыкание емкостьспособность
  • vCE(сидел) с положительный температура коэффициент
  • максимальный температура соединения 175oc
  • Низкая индуктивность Кейс
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • АС и ДС серво ездить Усилитель
  • Непрерывное питаниеЭ поставки

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

656

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2054

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

450

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

900

A

модуль

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Напряжение изоляции  RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

 

 

  ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc=450A,VGE=15В, tj=125oc

 

1.95

 

Яc=450A,VGE=15В, tj=150oc

 

2.00

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 18,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

 

 

0.7

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

46.6

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.31

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

3.50

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

328

 

NS

tr

Время нарастания

 

76

 

NS

td(off)

Выключение время задержки

 

539

 

NS

tf

Время спада

 

108

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

19.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

46.6

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=125oc

 

376

 

NS

tr

Время нарастания

 

86

 

NS

td(off)

Выключение время задержки

 

595

 

NS

tf

Время спада

 

214

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

36.3

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

53.5

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=150oc

 

380

 

NS

tr

Время нарастания

 

89

 

NS

td(off)

Выключение время задержки

 

608

 

NS

tf

Время спада

 

232

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

41.7

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

55.5

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

 

 

1800

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,VGE=0V,Tj=25oc

 

1.90

2.35

 

v

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

2.00

 

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

2.05

 

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

 

55.2

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

518

 

A

erec

Обратное восстановление энергетики

 

26.0

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=125oc

 

106

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

633

 

A

erec

Обратное восстановление энергетики

 

47.5

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

 

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=150oc

 

121

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

661

 

A

erec

Обратное восстановление энергетики

 

53.9

 

МГ

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

20

НН

rCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

 

0.35

 

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

 

 

0.073

0.128

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

 

0.031

0.055

0.010

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

 

300

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000