Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
v |
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
± 20 |
v |
Яc |
Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc=90oc |
656 450 |
A |
Ясм |
Импульсный коллекторный ток tp=1 мс |
900 |
A |
pd |
Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc |
2054 |
w |
Диод
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
vRRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст |
1200 |
v |
Яf |
Диод Непрерывный прямой токренты |
450 |
A |
ЯФм |
Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс |
900 |
A |
модуль
Символ |
описание |
стоимость |
единица |
tjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
oc |
t- Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
oc |
tСТГ |
диапазон температуры хранения |
-40 до +125 |
oc |
vИзо |
Напряжение изоляции RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc=450A,VGE=15В, tj=25oc |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Яc=450A,VGE=15В, tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
Яc=450A,VGE=15В, tj=150oc |
|
2.00 |
|
|||
vGE(В) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc= 18,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
ЯCES |
Коллектор отрезать-выключенный текущий |
vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
Мамочка |
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Нет |
rГинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0.7 |
|
О |
cИ.е. |
Входной пропускной способностью |
vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
|
46.6 |
|
НФ |
cре |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.31 |
|
НФ |
|
qg |
Сбор за вход |
vGE=- 15…+15В |
|
3.50 |
|
μC |
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg=1.5Ω, vGE=±15В, tj=25oc |
|
328 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
76 |
|
NS |
|
td(off) |
Выключение время задержки |
|
539 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
108 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
19.5 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
46.6 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg=1.5Ω, vGE=±15В, tj=125oc |
|
376 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
86 |
|
NS |
|
td(off) |
Выключение время задержки |
|
595 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
214 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
36.3 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
53.5 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg=1.5Ω, vGE=±15В, tj=150oc |
|
380 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
89 |
|
NS |
|
td(off) |
Выключение время задержки |
|
608 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
232 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
41.7 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
55.5 |
|
МГ |
|
Яsc |
Данные SC |
tp≤10μs,vGE=15В, tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В |
|
1800 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf=450A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.90 |
2.35 |
v |
Яf=450A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
2.00 |
|
|||
Яf=450A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
2.05 |
|
|||
qr |
Восстановленная зарядка |
vСк.= 600 В,If=450A, -di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc |
|
55.2 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
518 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановление энергетики |
|
26.0 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vСк.= 600 В,If=450A, -di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=125oc |
|
106 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
633 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановление энергетики |
|
47.5 |
|
МГ |
|
qr |
Восстановленная зарядка |
vСк.= 600 В,If=450A, -di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=150oc |
|
121 |
|
μC |
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
661 |
|
A |
|
erec |
Обратное восстановление энергетики |
|
53.9 |
|
МГ |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единица |
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
НН |
rCC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.35 |
|
mΩ |
rthJC |
Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на Di)(оде) |
|
|
0.073 0.128 |
K/W |
rthCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
K/W |
m |
Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
g |
вес из модуль |
|
300 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.