1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

655

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2205

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=70oc

515

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

1304

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.6

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

40.5

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.14

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=15В

2.22

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

408

NS

tr

Время нарастания

119

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

573

NS

tf

Время спада

135

NS

eна

Включить переход

потеря

10.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

36.2

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

409

NS

tr

Время нарастания

120

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

632

NS

tf

Время спада

188

NS

eна

Включить переход

потеря

13.2

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

53.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

410

NS

tr

Время нарастания

123

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

638

NS

tf

Время спада

198

NS

eна

Включить переход

потеря

14.4

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

56.1

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.65

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.65

qr

Восстановлено

заряд

vr= 600 В,If= 300A,

-di/dt=5200A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

34.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

19.5

МГ

qr

Восстановлено

заряд

vr= 600 В,If= 300A,

-di/dt=5200A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

55.6

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

350

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

29.8

МГ

qr

Восстановлено

заряд

vr= 600 В,If= 300A,

-di/dt=5200A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

63.6

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

368

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

34.0

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

1.45

1.90

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

1.60

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

1.70

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 6,4Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.1

5.8

6.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.0

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

12.7

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.73

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

4.30

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=300V,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

102

NS

tr

Время нарастания

79

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

458

NS

tf

Время спада

49

NS

eна

Включить переход

потеря

2.88

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

12.9

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=300V,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

111

NS

tr

Время нарастания

80

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

505

NS

tf

Время спада

70

NS

eна

Включить переход

потеря

4.20

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

16.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=300V,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

120

NS

tr

Время нарастания

80

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

510

NS

tf

Время спада

80

NS

eна

Включить переход

потеря

4.50

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

17.0

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤6μs,vGE=15В,

tj=150oC,VСк.=360V, vСМК≤ 600 В

2000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.55

2.00

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.50

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.45

qr

Восстановлено

заряд

vr=300V,If=400A,

-di/dt=5500A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

18.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

215

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

3.58

МГ

qr

Восстановлено

заряд

vr=300V,If=400A,

-di/dt=5500A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

29.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

7.26

МГ

qr

Восстановлено

заряд

vr=300V,If=400A,

-di/dt=5500A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

34.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

300

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

8.30

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с корпусом (для T1,T2 IGBT)

Соединение с корпусом (для D1,D2 Диодde)

Соединение с корпусом (для T3,T4 IGBT)

Соединение с корпусом (для D3,D4 Диодde)

0.068

0.138

0.115

0.195

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на T1,T2 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D1,D2Диод)

Корпус к радиатору (на T3,T4 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D3,D4Диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.136

0.276

0.230

0.391

0.028

K/W

m

Крутящий момент установки, винт м6

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5

3.0

2.5

6.0

5.0

n.m.