все категории

1700В

1700В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1700В

GD400SGX170C2S

IGBT Модуль,1700V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGX170C2S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая)ОпорыИГБТтехнологии
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat)сположительныйтемпературакоэффициент
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Яинвертор для привода двигателя
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

648

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальная мощность рассеяния- Что?t =175oc

2380

w

 

 

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

 

1.85

2.20

 

 

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

 

2.25

 

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

 

2.35

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

1.88

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

48.2

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.17

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15V…+15V

 

3.77

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic=400A,- Что?rg=0.82Ω,VGE=±15В, tj=25oc

 

204

 

NS

tr

Время нарастания

 

38

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

425

 

NS

tf

Время спада

 

113

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

97.9

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

84.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic=400A,- Что?rg=0.82Ω,VGE=±15В, tj=125oc

 

208

 

NS

tr

Время нарастания

 

50

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

528

 

NS

tf

Время спада

 

184

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

141

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

132

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=900V,Ic=400A,- Что?rg=0.82Ω,VGE=±15В, tj=150oc

 

216

 

NS

tr

Время нарастания

 

50

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

544

 

NS

tf

Время спада

 

204

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

161

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

137

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 100V, vСМК≤1700V

 

 

1600

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj=125oc

 

1.90

 

Яf=400A,VGE=0V,Tj=150oc

 

1.95

 

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If=400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

 

116

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

666

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

63.8

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If=400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE=- 15 Вtj=125oc

 

187

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

662

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

114

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If=400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE=- 15 Вtj=150oc

 

209

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

640

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

132

 

МГ

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

15

 

НН

rCC+EE

Модуль свинцового сопротивления- Да, конечно, я не знаю.

 

0.18

 

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

 

 

0.063

0.105

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

 

0.016

0.027

0.010

 

K/W

 

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

1.1

2.5

3.0

 

2.0

5.0

5.0

 

n.m.

g

вес из модуль

 

300

 

g

 

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000