1700В

Символ

описание

GD400SGT170C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

700

A

400

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

400

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

3000

w

tsc

Время выдержки короткого замыкания @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение,Диод

vr=0V,t=10ms,Tj=125°C

25500

A2С

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Крутящий момент крепления

Клемма питания: M4

Крепежный винт силового терминала:M6

1.1 до 2.0

2,5 до 5.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3,0 до 5.0

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

vGE=0V, Яc= 14mA,tj=25°C

1700

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

3.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc= 16mA,VCE=VGE- Да.tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C

2.00

2.45

v

Яc=400A,VGE=15В, tj= 125°C

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,

278

NS

tr

Время нарастания

rg=3.6Ω,VGE= ±15 v,

81

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

tj=25°C

802

NS

tf

Время спада

vСк.=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15 v,tj=25°C

119

NS

eна

Включение переключения

потеря

104

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

86

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15 v, tj= 125°C

302

NS

tr

Время нарастания

99

NS

td(off)

Выключение время задержки

1002

NS

tf

Время спада

198

NS

eна

Включение переключения

потеря

136

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

124

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

36

НФ

c- Да.

Выходной объем

1.5

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.2

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10μs,vGE=15В,

tj=125°CVСк.= 1000V, vСМК≤1700В

1600

A

rГинт

Внутренний резис вороттанцевать

1.9

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE ’

Модуль свинцового сопротивленияc Терминал на чип

tc=25°C

0.18

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.90

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf=400A,

vr=900 v,

di/dt=-4250A/μs, vGE=- 15 В

tj=25°C

99

μC

tj= 125°C

172

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

441

A

tj= 125°C

478

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

53

МГ

tj= 125°C

97

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, per Модуль)

0.05

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть ДИОД, на модульe)

0.09

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

K/W

вес

вес из модуль

300

g