GD400HTX120P6HT, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

400

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =125 О C

250

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Г

Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C т j =175 О C

1075

В

Символ

Описание

Ценности

единица

В RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность GE

1200

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

400

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

250

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Г Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

Г прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =250A,V GE =15В, т j =25 О C

1.45

1.80

В

Я C =250A,V GE =15В, т j =125 О C

1.65

Я C =250A,V GE =15В, т j =150 О C

1.70

Я C =380A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

Я C =380A,V GE =15В, т j =150 О C

2.15

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.75 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.4

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

33.6

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.43

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.82

НФ

Q g

Сбор за вход

В СЕ = 600 В,I C =250A, V GE =-8...+15В

1.98

μC

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =250A, R g = 2,2Ω, Л s =24 nH ,В GE =-8V/+15V,

т j =25 О C

231

NS

т R

Время нарастания

50

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

545

NS

т F

Время спада

172

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

19.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

23.2

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =250A, R g = 2,2Ω, Л s =24 nH ,В GE =-8V/+15V,

т j =125 О C

241

NS

т R

Время нарастания

57

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

619

NS

т F

Время спада

247

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

26.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.7

mJ

т Г (НА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =250A, R g = 2,2Ω, Л s =24 nH ,В GE =-8V/+15V,

т j =150 О C

245

NS

т R

Время нарастания

57

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

641

NS

т F

Время спада

269

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

30.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

30.9

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, В GE =15В,

т j =150 О C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =250A,V GE =0V,T j =25 О C

1.50

1.90

В

Я F =250A,V GE =0V,T j =1 25О C

1.45

Я F =250A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.40

Я F =380A,V GE =0V,T j =25 О C

1.65

Я F =380A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.60

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8В Л s =24 nH ,т j =25 О C

9.10

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

160

A

е rec

Обратное восстановление энергия

4.39

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =250A,

-di/dt=4300А/μs,В GE =-8В Л s =24 nH ,т j =125 О C

21.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

192

A

е rec

Обратное восстановление энергия

8.43

mJ

Q R

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =250A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8В Л s =24 nH ,т j =150 О C

25.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

203

A

е rec

Обратное восстановление энергия

9.97

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

△ Р

△ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

64

мбар

Р

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

Штанга

R ФНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

g

Вес из Модуль

750

g