1200В 400А Упаковка:P4
Краткое введение
Модуль IGBT ,Произведенный STARPOWER . 1200V 400А.
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т F =25 О C если только иначе отмечено
Я ГБТ
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я CN |
Использование коллектора Cu ренты |
400 |
A |
Я C |
Коллекторный ток @ T F =25 О C @ T F =75 О C |
400 300 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t Р =1 мс |
800 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C |
1500 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
значение |
единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст |
1200 |
В |
Я ФН |
Реализован Forward Cu ренты |
400 |
A |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс |
800 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
значение |
единица |
т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
О C |
т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
О C |
т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
О C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C |
|
1.50 |
1.95 |
В |
Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C |
|
1.60 |
|
|||
Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C |
|
1.65 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C = 16,0 mA ,В СЕ = В GE , т j =25 О C |
5.3 |
5.8 |
6.3 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, т j =25 О C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, т j =25 О C |
|
|
400 |
НД |
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0.5 |
|
Ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
41.4 |
|
НФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.16 |
|
НФ |
|
Q g |
Сбор за вход |
В GE =15В |
|
3.11 |
|
μC |
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =500В, I C = 300A, R g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =25 О C |
|
171 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
54 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
433 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
41 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
18.2 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
13.4 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =500В, I C = 300A, R g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =125 О C |
|
193 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
54 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
546 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
93 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
25.7 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
26.8 |
|
mJ |
|
т Г (НА ) |
Время задержки включения |
В CC =500В, I C = 300A, R g =1.5Ω,В GE =±15В, т j =150 О C |
|
203 |
|
NS |
т R |
Время нарастания |
|
64 |
|
NS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
628 |
|
NS |
|
т F |
Время спада |
|
93 |
|
NS |
|
е НА |
Включить Переключение Потеря |
|
27.8 |
|
mJ |
|
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
30.9 |
|
mJ |
|
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, т j =150 О C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В |
|
1600 |
|
A |
Диод Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
|
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C |
|
1.55 |
1.80 |
В |
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25О C |
|
1.50 |
|
|||
Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50О C |
|
1.45 |
|
|||
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =500В, I F = 300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C |
|
25.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
229 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
6.7 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =500В, I F = 300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15 В т j =125 О C |
|
49.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
380 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
17.1 |
|
mJ |
|
Q R |
Восстановленная зарядка |
В R =500В, I F = 300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15 В т j =150 О C |
|
57.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
380 |
|
A |
|
е rec |
Обратное восстановление энергия |
|
20.0 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из R 100 |
т C =100 О C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Р 25 |
Мощность рассеяние |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
к |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
к |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
к |
Модуль Характеристики т F =25 О C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
единица |
△ Р |
Падение давления в системе охлаждения слюнка △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ;т F =25 О C ;Охлаждение жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль |
|
100 |
|
мбар |
Р |
Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка |
|
|
2.5 |
Штанга |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
14 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.80 |
|
мОм |
R ФНП |
Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT ) Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) |
|
|
0.100 0.125 |
K/W |
м |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 6.0 |
Н.М |
g |
Вес из Модуль |
|
1250 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
