Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

648

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Р Д

Максимальная мощность рассеяния т =175 О C

2380

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

1.85

2.20

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

2.25

Я C =400A,V GE =15В, т j =150 О C

2.35

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.6

6.2

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.88

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

48.2

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.17

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15V…+15V

3.77

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =0.82Ω,V GE =±15В, т j =25 О C

204

NS

т р

Время нарастания

38

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

425

NS

т F

Время спада

113

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

97.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

84.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =0.82Ω,V GE =±15В, т j =125 О C

208

NS

т р

Время нарастания

50

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

528

NS

т F

Время спада

184

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

141

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

132

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =0.82Ω,V GE =±15В, т j =150 О C

216

NS

т р

Время нарастания

50

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

544

NS

т F

Время спада

204

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

161

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

137

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 100V, в СМК ≤1700V

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F =400A,V GE =0V,T j =125 О C

1.90

Я F =400A,V GE =0V,T j =150 О C

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

116

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

666

A

е rec

Обратное восстановление энергия

63.8

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В т j =125 О C

187

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

662

A

е rec

Обратное восстановление энергия

114

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В т j =150 О C

209

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

640

A

е rec

Обратное восстановление энергия

132

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.063

0.105

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.032

0.053

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g