1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

595

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

1875

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE= 15V,tj=25oc

1.75

2.20

v

Яc=400A,VGE= 15V,tj=125oc

2.00

Яc=400A,VGE= 15V,tj=150oc

2.05

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 10,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

37.3

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.04

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

2.80

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

205

NS

tr

Время нарастания

77

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

597

NS

tf

Время спада

98

NS

eна

Включить переход

потеря

18.8

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

32.3

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

214

NS

tr

Время нарастания

86

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

626

NS

tf

Время спада

137

NS

eна

Включить переход

потеря

28.4

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

48.9

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

198

NS

tr

Время нарастания

94

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

646

NS

tf

Время спада

147

NS

eна

Включить переход

потеря

30.8

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

53.8

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE= 15V,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

1440

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.75

2.15

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.65

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

40

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

299

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

20.0

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

70

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

38.4

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

80

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

419

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

43.9

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

15

НН

rCC+EE

Модуль свинцового сопротивления- Да, конечно, я не знаю.

0.25

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.080

0.095

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.037

0.044

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g