Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25°C если только В противном случае Замечание
Символ |
описание |
GD400HFT120C2SN |
единицы |
vCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
v |
vГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
± 20 |
v |
Яc |
Коллектор текущий @tc=25°C @ Tc= 100°C |
650 400 |
A |
Ясм |
Импульсный коллекторный ток tp= 1мс |
800 |
A |
Яf |
Диод непрерывно переднийарендная плата |
400 |
A |
ЯФм |
Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс |
800 |
A |
pd |
Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C |
2542 |
w |
tjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
°C |
t- Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
°C |
tСТГ |
температура хранениядиапазон |
-40 до +125 |
°C |
vИзо |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты |
4000 |
v |
монтаж крутящий момент |
Крепежный винт силового терминала:M6 Монографный винт:M6 |
2,5 до 5.0 3,0 до 5.0 |
n.m. |
вес |
Вес модуль |
300 |
g |
электрические характеристики из ИГБТ tc=25°C если только В противном случае Замечание
Не характеризуется
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
v(б)CES |
Сборщик-выпускник напряжение отключения |
tj=25°C |
1200 |
|
|
v |
ЯCES |
Коллектор отрезать-выключенный текущий |
vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C |
|
|
5.0 |
Мамочка |
ЯГЭС |
Утечка излучателя текущий |
vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C |
|
|
400 |
- Нет |
О характеристиках
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
vGE(В) |
Предельный уровень выпускателя напряжение |
Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE- Да.tj=25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Яc=400A,VGE=15В, tj=125°C |
|
2.00 |
|
|||
Яc=400A,VGE=15В, tj=150°C |
|
2.10 |
|
Смена характеристик
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=400A, rg= 1.8Ω, vGE=±15В,tj=25°C |
|
250 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
39 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
500 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
100 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
17.0 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
42.0 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=400A, rg= 1.8Ω, vGE=±15В, tj= 125°C |
|
299 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
46 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
605 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
155 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
25.1 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
61.9 |
|
МГ |
|
td(на) |
Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=400A, rg= 1.8Ω, vGE=±15В, tj= 150°C |
|
320 |
|
NS |
tr |
Время нарастания |
|
52 |
|
NS |
|
td(выключенный) |
Выключение время задержки |
|
625 |
|
NS |
|
tf |
Время спада |
|
180 |
|
NS |
|
eна |
Включить переход потеря |
|
30.5 |
|
МГ |
|
eвыключенный |
Выключатель потеря |
|
66.8 |
|
МГ |
|
cИ.е. |
Входной пропускной способностью |
vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
|
28.8 |
|
НФ |
c- Да. |
Выходной объем |
|
1.51 |
|
НФ |
|
cре |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.31 |
|
НФ |
|
Яsc |
Данные SC |
tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v, tj=125°C,vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В |
|
1600 |
|
A |
rГинт |
Внутренний портал сопротивленияance |
|
|
1.9 |
|
О |
Я...CE |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
|
20 |
НН |
rCC+EE |
Модуль свинцовый Сопротивление, Терминал на чип |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
электрические характеристики из Диод tc=25°C если только В противном случае Замечание
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
минуты. |
Тип. |
Макс. |
единицы |
|
vf |
Диод вперед напряжение |
Яf=400A, vGE=0В |
tj=25°C |
|
1.65 |
2.15 |
v |
tj=125°C |
|
1.65 |
|
||||
tj=150°C |
|
1.65 |
|
||||
qr |
Восстановленная зарядка |
Яf=400A, vr=600 В, rg= 1.8Ω, vGE= 15 В |
tj=25°C |
|
44 |
|
μC |
tj=125°C |
|
78 |
|
||||
tj=150°C |
|
90 |
|
||||
ЯRM |
Пик обратный Ток восстановления |
tj=25°C |
|
490 |
|
A |
|
tj=125°C |
|
555 |
|
||||
tj=150°C |
|
565 |
|
||||
erec |
Обратное восстановлениеэнергетики |
tj=25°C |
|
19.0 |
|
МГ |
|
tj=125°C |
|
35.1 |
|
||||
tj=150°C |
|
38.8 |
|
Тепловой характеристикics
Символ |
Параметр |
Тип. |
Макс. |
единицы |
rθД.К. |
Соединение с делом (на IGB)T) |
|
0.059 |
K/W |
rθД.К. |
Соединение с корпусом (на D)йода) |
|
0.106 |
K/W |
rθcs |
Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь) |
0.035 |
|
K/W |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.