все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD400HFT120C2SN

Модуль IGBT 1200В 400А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFT120C2SN
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175°C
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25°C если только В противном случае Замечание

Символ

описание

GD400HFT120C2SN

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc= 100°C

650

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

800

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

2542

w

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

монтаж крутящий момент

Крепежный винт силового терминала:M6

Монографный винт:M6

2,5 до 5.0

3,0 до 5.0

n.m.

вес

Вес модуль

300

g

 

 

 

 

электрические характеристики из ИГБТ tc=25°C если только В противном случае Замечание

Не характеризуется

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

 

 

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

 

 

400

- Нет

О характеристиках

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE- Да.tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125°C

 

2.00

 

Яc=400A,VGE=15В, tj=150°C

 

2.10

 

Смена характеристик

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В,tj=25°C

 

250

 

NS

tr

Время нарастания

 

39

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

500

 

NS

tf

Время спада

 

100

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

17.0

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

42.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 125°C

 

299

 

NS

tr

Время нарастания

 

46

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

605

 

NS

tf

Время спада

 

155

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

25.1

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

61.9

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 150°C

 

320

 

NS

tr

Время нарастания

 

52

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

625

 

NS

tf

Время спада

 

180

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

30.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

66.8

 

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

 

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

28.8

 

НФ

c- Да.

Выходной объем

 

1.51

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.31

 

НФ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

1600

 

 

A

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

1.9

 

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

 

20

НН

 

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

 

 

 

0.35

 

 

электрические характеристики из Диод tc=25°C если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,

vGE=0В

tj=25°C

 

1.65

2.15

 

v

tj=125°C

 

1.65

 

tj=150°C

 

1.65

 

 

qr

 

Восстановленная зарядка

 

 

Яf=400A,

vr=600 В,

rg= 1.8Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

 

44

 

 

μC

tj=125°C

 

78

 

tj=150°C

 

90

 

 

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

 

490

 

 

A

tj=125°C

 

555

 

tj=150°C

 

565

 

 

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

 

19.0

 

 

МГ

tj=125°C

 

35.1

 

tj=150°C

 

38.8

 

 

Тепловой характеристикics

 

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

 

0.059

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

0.106

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

0.035

 

K/W

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000