все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD400HFT120B3S

Модуль IGBT 1200В 400А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFT120B3S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

700

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

2542

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

 

2.00

 

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

 

2.10

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

1.9

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

 

28.8

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.31

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

 

1.20

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

 

250

 

NS

tr

Время нарастания

 

39

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

500

 

NS

tf

Время спада

 

100

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

17.0

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

42.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

 

299

 

NS

tr

Время нарастания

 

46

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

605

 

NS

tf

Время спада

 

155

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

25.1

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

61.9

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

 

320

 

NS

tr

Время нарастания

 

52

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

625

 

NS

tf

Время спада

 

180

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

30.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

66.8

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=600 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

1600

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

 

1.65

2.10

 

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.65

 

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.65

 

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15V,tj=25oc

 

44

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

490

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

19.0

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15V, tj= 125oc

 

78

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

555

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

35.1

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15V, tj= 150oc

 

90

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

565

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

38.8

 

МГ

 

НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

 

 

5.0

 

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc= 100oC,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

рассеивание мощности

 

 

 

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3375

 

K

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

 

 

0.059

0.106

K/W

 

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

 

0.109

0.196

0.035

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

 

300

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000